STMicroelectronics MOSFET di potenza MDmesh STO67N60x
I MOSFET di potenza MDmesh STO67N60x di STMicroelectronics sono MOSFET di potenza a canale N testati a valanga 100% e protetti Zener adatti per applicazioni di commutazione. Questi MOSFET di potenza offrono eccellenti prestazioni di commutazione, bassa resistenza di ingresso del gate e RDS(on) più bassa per area rispetto alla generazione precedente. Il MOSFET di potenza STO67N60DM6 è un diodo a recupero rapido e combina una carica di recupero molto bassa (Qrr) e un tempo di recupero (trr) dal comportamento di commutazione più efficace. Il MOSFET di potenza STO67N60M6 è ideale per l’uso nei convertitori LLC e nei convertitori PFC boost.
Caratteristiche
- Perdite di commutazione ridotte (STO67N60M6)
- Diodo corpo a recupero rapido (STO67N60DM6)
- Bassa resistenza in ingresso del gate (STO67N60M6)
- Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza (STO67N60DM6)
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Protezione Zener
- Robustezza dv/dt estremamente elevata (STO67N60DM6)
- Integrato ad alta dispersione (STO67N60M6)
- Eccellenti prestazioni di commutazione
Applicazioni
- Applicazioni di commutazione
- Convertitori LLC (STO67N60M6)
- Convertitori PFC Boost (STO67N60M6)
Riepilogo
Completate il vostro progetto
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Pubblicato: 2020-08-11
| Aggiornato: 2025-01-14