STMicroelectronics Transistor STAC RF DMOS
STMicroelectronics presenta un ampio portafoglio di transistori di potenza RF DMOS per applicazioni che vanno da 1 MHz a 250 MHz, come la trasmissione FM e le applicazioni industriali, scientifiche e medicali. ST offre un ampio portafoglio di transistor RF DMOS che operano con una tensione di alimentazione da 28 a 150 V. Presentano un'alta potenza di picco (fino a 1,2 kW) ed elevata robustezza (VSWR infinito:1). Il traferro STAC® offre un migliore comportamento termico, migliori prestazioni RF e la maggiore affidabilità nel suo genere.Caratteristiche
- 50V
- Up to 350W output power
- Up to more than 200V breakdown voltage
- 1 million power cycles reliability
- Low thermal resistance
- ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance
- 100/150V
- 150W up to 1.2kW output power
- 100/150V supply voltage
- >20dB gain
- >60% efficiency
- Best-in-class reliability
- Excellent thermal stability
- ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance compared to ceramic packages
- 250/300V
- Up to 600W output power
- 250V supply voltage
- >20dB gain
- >70% efficiency
- Best in-class reliability
- ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance compared to ceramic packages
Applicazioni
- RF plasma generators
- Laser drivers
- RF heating
- Magnetic resonance imaging (MRI)
- HF transceivers
- FM broadcast
Video
Pubblicato: 2013-05-09
| Aggiornato: 2025-09-04
