STMicroelectronics Transistor STAC RF DMOS

STMicroelectronics presenta un ampio portafoglio di transistori di potenza RF DMOS per applicazioni che vanno da 1 MHz a 250 MHz, come la trasmissione FM e le applicazioni industriali, scientifiche e medicali. ST offre un ampio portafoglio di transistor RF DMOS che operano con una tensione di alimentazione da 28 a 150 V. Presentano un'alta potenza di picco (fino a 1,2 kW) ed elevata robustezza (VSWR infinito:1). Il traferro STAC® offre un migliore comportamento termico, migliori prestazioni RF e la maggiore affidabilità nel suo genere.

Caratteristiche

  • 50V
    • Up to 350W output power
    • Up to more than 200V breakdown voltage
    • 1 million power cycles reliability
    • Low thermal resistance
    • ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance 
  • 100/150V
    • 150W up to 1.2kW output power
    • 100/150V supply voltage
    • >20dB gain
    • >60% efficiency
    • Best-in-class reliability
    • Excellent thermal stability
    • ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance compared to ceramic packages
  • 250/300V
    • Up to 600W output power
    • 250V supply voltage
    • >20dB gain
    • >70% efficiency
    • Best in-class reliability
    • ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance compared to ceramic packages

Applicazioni

  • RF plasma generators
  • Laser drivers
  • RF heating
  • Magnetic resonance imaging (MRI)
  • HF transceivers
  • FM broadcast

Video

Pubblicato: 2013-05-09 | Aggiornato: 2025-09-04