STMicroelectronics Transistor LDMOS di potenza RF RF3L05150CB4

Il transistor LDMOS di potenza RF RF3L05150CB4 STMicroelectronics è un FET LDMOS da 150 W, 28/32 V progettato per applicazioni di comunicazione e ISM a banda larga. Il transistor LDMOS RF3L05150CB4 STM è progettato per applicazioni con frequenze da HF a 1 GHz. L'RF3L05150CB4 può essere utilizzato in classe AB, B o C per tutti i formati di modulazione tipici.

Caratteristiche

  • Funzionamento a guadagno lineare e ad alta efficienza
  • Protezione ESD integrata
  • Conforme alla Direttiva europea 2002/95/CE
  • Ampio intervallo di tensione gate-source positiva e negativa per un migliore funzionamento di classe C

Applicazioni

  • Comunicazione HF o onde corte: da 2 MHz a 30 MHz
  • Comunicazione di terra: da 30 MHz a 88 MHz
  • Avionica: da 118 MHz a 140 MHz
  • Comunicazione di terra commerciale: da 136 MHz a 174 Mhz
  • Jammer da 30 MHz a 512 MHz, comunicazione terra/aria
  • Strumentazione ISM da HF a 1000 MHz

Collegamento pin

Grafico - STMicroelectronics Transistor LDMOS di potenza RF RF3L05150CB4

Layout del circuito di prova

Diagramma - STMicroelectronics Transistor LDMOS di potenza RF RF3L05150CB4
Pubblicato: 2021-02-26 | Aggiornato: 2022-03-11