STMicroelectronics Transistor LDMOS di potenza RF RF3L05150CB4
Il transistor LDMOS di potenza RF RF3L05150CB4 STMicroelectronics è un FET LDMOS da 150 W, 28/32 V progettato per applicazioni di comunicazione e ISM a banda larga. Il transistor LDMOS RF3L05150CB4 STM è progettato per applicazioni con frequenze da HF a 1 GHz. L'RF3L05150CB4 può essere utilizzato in classe AB, B o C per tutti i formati di modulazione tipici.Caratteristiche
- Funzionamento a guadagno lineare e ad alta efficienza
- Protezione ESD integrata
- Conforme alla Direttiva europea 2002/95/CE
- Ampio intervallo di tensione gate-source positiva e negativa per un migliore funzionamento di classe C
Applicazioni
- Comunicazione HF o onde corte: da 2 MHz a 30 MHz
- Comunicazione di terra: da 30 MHz a 88 MHz
- Avionica: da 118 MHz a 140 MHz
- Comunicazione di terra commerciale: da 136 MHz a 174 Mhz
- Jammer da 30 MHz a 512 MHz, comunicazione terra/aria
- Strumentazione ISM da HF a 1000 MHz
Collegamento pin
Layout del circuito di prova
Pubblicato: 2021-02-26
| Aggiornato: 2022-03-11
