MOSFET di potenza e IGBT per SMPS STMicroelectronicsSTMicroelectronics offre le tecnologie più nuove quando si tratta di SMPS. Si rivolge sia alle applicazioni SMPS a fascia alta sia ai design SMPS sensibili al prezzo, ST offre un ampio portafoglio di MOSFET e IGBT che soddisfano tutte le esigenze. Il portafoglio di ST include MOSFET super-junction ad alta tensione e IGBT field-stop trench-gate per stadi PFC e PWM, e MOSFET trench-based a bassa tensione per raddrizzamento sincrono. I più recenti MOSFET SiC 12000 V di ST combinano gli intervalli di temperatura di giunzione più elevati del settore di 200 °C con un'area RDS(on) molto bassa (con la variazione minima di temperatura) e prestazioni di commutazione eccellenti per design SMPS ancora più efficienti e compatti. Per raddrizzamento sincrono, la serie STripFET F7 a bassa tensione presenta resistenza in stato attivo estremamente bassa e un'ottima capacità di rapporto Crss/Ciss. Scopri l'offerta completa di ST di MOSFET e IGBT per design SMPS.
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MOSFET di potenza STMicroelectronics MDmesh M5
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La serie di MOSFET di potenza super-junction MDmesh M5 a 550 e 650V di STMicroelectronics offre eccezionali valori RDS(on) per ridurre significativamente le perdite nei circuiti PFC a tensione di linea e linee di alimentazione. Ciò consente a sua volta una nuova generazione di prodotti elettronici che offrono un maggiore risparmio energetico, densità di potenza superiore e applicazioni più compatte. Questa nuova tecnologia aiuta i progettisti a superare le nuove difficoltà, come gli obiettivi di alta efficienza delle nuove direttive di progettazione ecologica. Ne trae vantaggio anche il settore delle energie rinnovabili grazie al risparmio di preziosi watt, normalmente perduti nei moduli di controllo della potenza. I MOSFET STMicroelectronics MDmesh M5 presentano una tecnologia al silicio che combina l'innovativo processo brevettato della tecnologia verticale con il layout orizzontale STMicroelectronics PowerMESH. Questa tecnologia migliora del 40% la RDS(on) rispetto alla precedente tecnologia MDmesh II e pone una nuova pietra miliare nel settore della commutazione di potenza. Caratteristiche
- Eccezionali valori di area RDS(on)
- Commutazione rapida
- Alto valore VDSS nominale
- Elevata capacità DV/DT
- Facilità di azionamento
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
| | Applicazioni - SMPS (computer, adattatori ad alta efficienza e telecomunicazioni)
- Illuminazione (reattori elettronici, HID)
- Schermi (TV, monitor)
- Convertitori solari
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di potenza MDmesh M5 STMicroelectronics
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MOSFET di potenza MDmesh™ M2 STMicroelectronics
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I MOSFET di potenza super-junction della serie MDmesh™ M2 a 600 e 650 V di STMicroelectronicsono ottimizzati per applicazioni a commutazione soft (alimentatori a risonanza LLC) grazie al compromesso ottimizzato tra RDS(on), carica di gate (Qg) e capacità intrinseche (Ciss, Coss). Inoltre sono adatti per applicazioni PFC, particolarmente a carichi leggeri.
Caratteristiche
- Totalmente isolati, con un integrato di profilo basso e una maggiore distanza superficiale dal piedino alla piastra del dissipatore.
- Area RDS(on) x più bassa rispetto alla generazione precedente
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Bassa capacità di ingresso e di carica al gate
- Protezione Zener
- Bassa resistenza d'ingresso al gate
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Applicazioni
- Applicazioni di commutazione
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MOSFET di potenza MDmesh DM2 STMicroelectronics
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La serie MDmesh DM2 di STMicroelectronics è la più recente serie di diodi a recupero rapido di MOSFET di potenza a 600 V ottimizzati per le topologie di ponte a variazione di fase ZVS. Sono caratterizzati da un tempo e carica di recupero molto bassi (Qrr, trr) e presentano un RDS(on) inferiore del 20% rispetto alla generazione precedente. L'elevata robustezza dV/dt (40V/ns) assicura una maggiore affidabilità del sistema. Caratteristiche- Capacitanza in ingresso e carica del gate estremamente basse
- Area RDS(on) x più bassa rispetto alla generazione precedente
- Bassa resistenza d'ingresso al gate
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Protezione Zener
- dv/dt estremamente elevato e funzionalità a valanga
Applicazioni - Applicazioni di commutazione
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MOSFET di potenza STMicroelectronics MDmesh K5
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I MOSFET della serie MDmesh K5 diSTMicroelectronics sono MOSFET a tensione molto elevata con super-junction, il migliore valore RDS(on) dell'industria, e un valore di merito per la maggiore densità di potenza ed efficienza. Le tensioni nominali includono 800 V, 950 V, e 1050 V.
Caratteristiche - Capacità DV/DT estremamente elevata
- Collaudati al 100% con il metodo avalanche
- La migliore cifra di merito al mondo
- Carica del gate ultrabassa
- Protezione Zener
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Applicazioni - Alimentatori a commutazione a bassa potenza (SMPS)
- Convertitori CC-CC
- CFL a bassa potenza e basso costo
- Caricabatterie a bassa potenza
- Applicazioni di commutazione
- Commutazione ad alta velocità e alta corrente
- Illuminazione
- Alimentatori non in linea, adattatori e PFC
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MOSFET di potenza STripFET™ F7 STMicroelectronics
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I MOSFET di potenza della serie STripFET F7 a 80 di 100V di STMicroelectronics presentano una struttura di trench-gate migliorata che riduce la resistenza in stato attivo riducendo nel contempo le capacitanze interne e la carica di gate per una commutazione più rapida ed efficiente. Sono ideali per il raddrizzamento sincrono.
MOSFET di potenza STripFET™ H7 STMicroelectronicsLa serie STripFET H7 a 30 V di STMicroelectronics è ottimizzata per sistemi di gestione di potenza ad alte prestazioni, alta densità. Questa serie di MOSFET a bassa tensione di trench-gate combinano una resistenza di conduzione estremamente bassa e capacitanze ultrabasse con un diodo Schottky incorporato ottimizzato per il funzionamento a maggiore frequenza di commutazione.
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MOSFET di potenza STripFET™ F7/H7 di STMicroelectronics | MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120 STMicroelectronics
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I MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120 STMicroelectronics sono prodotti utilizzando materiali a banda larga avanzati e innovativi. Questo consente una resistenza senza pari in stato attivo per unità di area ed eccellenti prestazioni di commutazione praticamente indipendenti dalla temperatura. Le eccellenti proprietà termiche del materiale in SiC e il package esclusivo HiP247™ consentono ai progettisti di utilizzare strutture standard del settore con caratteristiche termiche migliorate in modo significativo. Queste caretteristiche rendono i dispositivi perfettamente adatti per le applicazioni con elevata densità di potenza e a elevata efficienza. Caratteristiche
- Minime variazioni di perdite di commutazione in funzione della temperatura.
- Resistenza alla temperatura di esercizio molto elevata (200 °C)
- Corpo del diodo intrinsecamente robusto e molto veloce
- Capacità bassa
- Facilità di azionamento
| | Applicazioni- Convertitori solari, UPS
- Comandi di motori
- Convertitori CC/CC ad alta tensione
- Alimentatori a commutazione
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IGBT serie V STMicroelectronics
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Gli IGBT serie V ad altissima velocità da 600 V trench-gate field-stop presenta il valore Eoff più basso dell'industria. Combinato con una tensione di saturazione di appena 1,8 V e una temperatura massima di esercizio della giunzione di 175°C, essi consentono una maggiore efficienza del sistema, maggiori frequenze di commutazione (fino a 120 kHz) e un design EMI e termico semplificati.
IGBT serie HB STMicroelectronics
Gli IGBT serie HB a 650 V di STMicroelectronics combinano una tensione di saturazione estremamente bassa (di appena 1,6 V) con una minima corrente del terminale di spegnimento di collettore e una massima temperatura operativa di 175°C. Ciò migliora l'efficienza delle applicazioni ad alta frequenza (fino a 100 kHz) e sfrutta l'avanzata struttura brevettata di trench gate field-stop (TGFS).
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Risorse aggiuntive
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IGBT serie H di STMicroelectronics
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Gli IGBT Trench Gate Field-Stop serie H a 1200 V di STMicroelectronics rappresentano un ottimo compromesso tra perdite di conduzione e commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Grazie all'avanzata tecnologia Trench-Gate Field-Stop ad alta velocità, questi IGBT offrono un tempo di resistenza minimo ai cortocircuiti di 5 μs a TJ=150 °C, una corrente collettore in stato spento senza strascico, tensione di saturazione (Vce(sat)) di soli 2,1 V (tipica), riducendo al minimo le perdite di energia durante l'accensione e quando acceso. Inoltre, un coefficiente della temperatura VCE (sat) leggermente positivo e molto ristretto permette di ottenere una distribuzione dei parametri in funzione parallela più sicura. Caratteristiche
- Serie di commutazione ad alta velocità
- Corrente del terminale minimizzata
- VCE(sat) = 2,1 V (tip.) a IC = 40 A
- 5 μs minimo di resistenza ai cortocircuiti a TJ=150 °C
- Parallelo sicuro
- Diodo antiparallelo a recupero molto rapido
- Bassa resistenza termica
- Integrato senza piombo
| Applicazioni - Gruppi di continuità
- Saldatrici
- Invertitori fotovoltaici
- Correzione del fattore di potenza
- Convertitori ad alta frequenza
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