IGBT trench-gate Field-Stop serie M STMicroelectronics
Gli IGBT field-stop trench-gate serie M di STMicroelectronics sono stati sviluppati utilizzando un processo proprietario e ottimizzato di trench-gate Field-Stop. Rappresentano una soluzione ottimale per massimizzare l'efficienza dei sistemi di inverter, laddove sono essenziali basse perdite e capacità di cortocircuito. Inoltre, un coefficiente della temperatura VCE (sat) positivo e molto ristretto permette di ottenere una distribuzione dei parametri in funzionamento parallelo più sicuro. Applicazioni tipiche per questi dispositivi includono azionamenti industriali, UPS, energia solare e saldatura.
Caratteristiche
10 μs di tempo di resistenza ai cortocircuiti
Distribuzione rigorosa dei parametri
Configurazione i parallelo più sicura
Bassa resistenza termica
Diodo antiparallelo per recupero rapido e graduale
