STMicroelectronics Schede di valutazione EVSTGAP2SICSN/C

Le schede di valutazione EVSTGAP2SICSN/C di STMicroelectronics sono progettate per valutare il gate driver singolo isolato STGAP2SICSN. Il gate driver singolo da 4 a STGAP2SICSNTR eroga isolamento galvanico tra il canale di pilotaggio del gate e i circuiti di interfaccia e controllo a bassa tensione.

Le schede STM EVSTGAP2SICSN/C consentono di valutare tutte le caratteristiche dell'STGAP2SICSN pilotando uno stadio di potenza a mezzo ponte con una tensione nominale fino a 520 V. L'aumento della tensione del bus è possibile sostituendo gli interruttori di potenza con dispositivi appropriati in un pacchetto H2PACK-7L o H2PACK-2L e la capacità C29, se necessario. I componenti della scheda sono facili da accedere e modificare, semplificando la valutazione delle prestazioni del driver in diverse condizioni applicative e regolando con precisione i componenti finali dell'applicazione.

Caratteristiche

  • Scheda
    • Configurazione half bridge, rail ad alta tensione fino a 520 V
    • SCT35N65: MOSFET SiC 650 V, 55 mΩ
    • Pilotaggio del gate negativo
    • Convertitori CC-CC isolati su scheda per fornire driver di gate a monte e a valle, alimentati da VAUX = 5 V, con isolamento massimo di 5,2 kV
    • Alimentazione logica VDD 3,3 V generata su scheda o 5 V (applicata esternamente)
    • Facile selezione del jumper della configurazione della tensione di alimentazione: +17/0 V; +17/-3 V; +19/0 V; +19/-3 V
  • Dispositivo
    • Capacità di corrente del driver source/sink: 4 A a 25 °C
    • Uscita sink e source separate per una facile configurazione del pilotaggio del gate
    • Ritardo di propagazione breve: 75 ns
    • Funzione UVLO
    • Tensione di alimentazione della porta fino a 26 V
    • Ingressi TTL/CMOS da 3,3 V, 5 V con isteresi
    • Protezione con spegnimento e segnalazione di temperatura
    • Funzione di standby

Layout superiore

Disegno meccanico - STMicroelectronics Schede di valutazione EVSTGAP2SICSN/C

Panoramica

STMicroelectronics Schede di valutazione EVSTGAP2SICSN/C
Pubblicato: 2021-09-07 | Aggiornato: 2022-03-11