STMicroelectronics EVSTGAP2SICSANC scheda dimostrativa
La scheda dimostrativa EVSTGAP2SICSANC di STMicroelectronics è progettata per driver di porta singolo isolato STGAP2SICSANC e pilota uno stadio di potenza a mezzo ponte con una tensione nominale di 520 V. Questa scheda dimostrativa implementa il pilotaggio del gate negativo e i convertitori CC-CC isolati integrati consentono di lavorare con tensione di pilotaggio ottimizzata per MOSFET SiC. I componenti della scheda EVSTGAP2SICSAC sono facili da accedere e modificare per valutare facilmente le prestazioni del driver in diverse condizioni di applicazione. Questa scheda dimostrativa è ideale per le applicazioni di inverter a media e alta potenza, come driver motore in applicazioni industriali dotate di interruttori di alimentazione MOSFET SiC.
Caratteristiche
- Configurazione a mezzo ponte, guida ad alta tensione fino a 520 V
- MOSFET 650 V SIC di 3a generazione, 58 mΩ e 30 A SCT055H65G3AG
- Logica VDD fornita da 3,3 V o VAUX = 5 V generata su scheda
- Pilotaggio del gate negativo
- Selezione 17V/0V jumper, 17V/-3V, 19V/0V e 19V/-3V di configurazione della tensione di pilotaggio
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STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Pubblicato: 2023-07-14
| Aggiornato: 2023-07-31