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ROHM Semiconductor FET GaN e-mode ECOGAN™ 650 V GNP1

I FET GNP1 EcoGaN ™ 650 V E-mode in nitruro di gallio (GaN) di ROHM Semiconductor utilizzano bassa resistenza ON e commutazione ad alta velocità per l'efficienza della conversione di potenza e la riduzione delle dimensioni. I FET GNP1 altamente affidabili forniscono protezione ESD integrata e un'eccellente dissipazione del calore, facilitando il montaggio. Le applicazioni includono convertitori ad alta frequenza di commutazione e ad alta densità.

Caratteristiche

  • FET GaN E-mode 650 V
  • Resistenza in conduzione bassa
  • Commutazione ad alta velocità
  • Protezione ESD integrata
  • Elevata affidabilità di progettazione
  • Contribuisce alla conversione di potenza al minimo di efficienza e alla riduzione delle dimensioni
  • Eccellente dissipazione del calore
  • Conforme a RoHS

Applicazioni

  • Convertitori ad alta frequenza di commutazione
  • Convertitori ad alta densità

Specifiche

  • GNP1070TC-Z
    • Formato package: DFN8080K
    • Intervallo di corrente di drain continua da 7,3 A a 20 A
    • Intervallo di corrente di drain a impulsi da 24 A a 66 A
    • Tensione drain-source 650 V
    • Tensione transitoria drain-source di 750 V
    • Intervallo di tensione gate-source da -10 VCC a +6 VCC
    • Tensione gate-source transitoria di 8,5 V
    • Dissipazione di potenza 56 W a +25°C
    • Resistenza di ingresso del gate tipica di 0,86 Ω
    • Capacità di ingresso tipica 200 pF
    • Capacità di uscita 50 pF tipica
    • Carica di uscita 44 nC
    • Carica totale tipica del gate 5,2 nC
    • Tempo di ritardo di accensione tipico 5,9 ns
    • Tempo di incremento tipico 6,9 ns
    • Tempo di ritardo di spegnimento tipico 8,0 ns
    • Tempo di discesa tipico 8,7 ns
  • GNP1150TCA-Z
    • Formato package: DFN8080AK
    • Intervallo di corrente di drain continua da 5 A a 11 A
    • Intervallo di corrente di drain a impulsi da 17 A a 35 A
    • Tensione drain-source 650 V
    • Tensione transitoria drain-source di 750 V
    • Intervallo di tensione gate-source da -10 VCC a +6 VCC
    • Tensione gate-source transitoria di 8,5 V
    • Dissipazione di potenza 62,5 W a +25°C
    • Resistenza di ingresso gate tipica di 2,6 Ω
    • Capacità di ingresso tipica 112 pF
    • Capacità di uscita 19 pF tipica
    • Carica di uscita 18,5 nC
    • Carica totale tipica del gate 2,7 nC
    • Tempo di ritardo di accensione tipico 4,7 ns
    • Tempo di incremento tipico 5,3 ns
    • Tempo di ritardo di spegnimento tipico 6,2 ns
    • Tempo di riduzione tipico 8,3 ns

Schede tecniche

Risorse aggiuntive

Video

Pubblicato: 2023-05-16 | Aggiornato: 2023-08-31