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Renesas Electronics MOSFET di potenza REXFET-1 da 100 V e 150 V

I MOSFET di potenza REXFET-1 da 100 V e 150 V di Renesas Electronics implementano la tecnologia split-gate, che riduce significativamente la RDSONe la cifra di merito, ideale per applicazioni a corrente elevata. I dispositivi sono disponibili nei package TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing) e TOLT (TO raffreddato dall’alto) per prestazioni termiche eccezionali e massima capacità di potenza. Inoltre, i MOSFET sono disponibili in package con fianchi bagnabili per prestazioni eccellenti delle giunzioni di saldatura. I MOSFET REXFET-1 sono qualificati AEC-Q100 con supporto PPAP per applicazioni per il settore automobilistico.

Caratteristiche

  • Prodotto conforme alla qualifica AEC-Q101 e supporto PPAP
  • Applicazioni automotive e industriali
  • Riduzione dello spazio del 60% rispetto a D2PAK-7
  • Bassa RDSON per minimizzare le perdite di conduzione
  • Alta capacità di corrente con package TOLL/TOLG
  • Soglia standard del gate (VGS(th) = da 2 V a 4 V)
  • Eccellente combinazione costo-prestazioni con tecnologia split-gate

Applicazioni

  • Azionamento motore a CC, BMS (FET di carica/scarica) e raddrizzamento sincrono
  • Utensili elettrici e attrezzi da giardinaggio
  • Robotica e AGV/AMR
  • Carrelli elevatori, golf cart e monopattini elettrici
  • Settore automobilistico 48 V OBC/DCDC, controllo di zona, BMS, controllo motore, ventola, pompa, sedile elettrico, tetto apribile, EPS, EPB, compressore elettrico (E-compressor), interruttore, illuminazione a LED
  • E-mobility: inverter di trazione per veicoli a 2 e 3 ruote, xEV, carrelli elevatori, veicoli commerciali

Specifiche

  • Tecnologia split-gate per bassa resistenza specifica in stato ON (Rsp)
  • Famiglia 100 V:
    • Opzioni RDSON: 1,5 mΩ, 2,9 mΩ, 3,7 mΩ, 6,7 mΩ, 11,1 mΩ, 21 mΩ
    • SO8-FL 5x6 e µSO8-FL 3x3 con bonding con clip in rame e fianchi bagnabili.
    • TOLL con fianchi bagnabili e TOLG leaded gullwing
  • Famiglia 150 V:
    • Opzioni RDSON: 3,4 mΩ, 3,9 mΩ
    • TOLL con fianchi bagnabile e TOLT per il raffreddamento superiore

Package

Schema di circuito di applicazione - Renesas Electronics MOSFET di potenza REXFET-1 da 100 V e 150 V

Diagramma a blocchi

Schema a blocchi - Renesas Electronics MOSFET di potenza REXFET-1 da 100 V e 150 V
Pubblicato: 2024-12-09 | Aggiornato: 2026-02-05