Renesas Electronics Driver half-bridge HIP2210 e HIP2211
I driver half-bridge HIP2210 & HIP2211 di Renesas Electronics sono driver FET NMOS half-bridge, sink ad alta frequenza da 100 V, sorgente 3 A, 4 A. L'HIP2211 presenta ingressi HI/LI standard ed è compatibile a livello di pin con i comuni driver di ponte Renesas come HIP2101 e ISL2111. L'HIP2210 presenta un ingresso PWM a tre livelli con tempo morto programmabile. L'ampio intervallo di alimentazione di funzionamento da 6 V a 18 V e il diodo di bootstrap lato alto integrato supportano il NMOS lato alto e basso nelle applicazioni half-bridge a 100 V.
Caratteristiche
- Sostituzione drop-in HIP2211 per i package ISL2111 e HIP2101 8 Ld SOIC, 8 Ld DFN e 10 Ld TDFN
- La tensione massima di alimentazione bootstrap 115 VCC supporta 100 V sull'half-bridge
- Gate driver sink 3 A e 4 a per FET NMOS
- Ritardo di propagazione e accoppiamento rapido: ritardo tipico di 15 ns; accoppiamento tipico di 2 ns (HIP2211)
- Diodo di bootstrap integrato 0,5 Ω tipico
- Ampio intervallo di tensione operativa da 6 V a 18 V
- Blocco sottotensione (UVLO) di avvio e VDD
- Robusta tolleranza al rumore: ampia isteresi agli ingressi; il pin HS tollera fino a -10 V continui
- HIP2211: ingressi HI/LI compatibili con la logica a 3,3 V con tolleranza di tensione VDD
- HIP2210: ingresso PWM a tre livelli con livelli di soglia logici impostati dal pin VREF esterno da 2,7 V a 5,5 V
- HIP2210: il tempo morto programmabile previene i tempi di scatto; regolabile da 35 ns a 350 ns con un singolo resistore
Applicazioni
- Convertitori CC half-bridge e full-bridge per telecomunicazioni
- Driver motore BLDC trifase; driver motore half-bridge
- Convertitori di potenza diretta a due interruttori con morsetto attivo
- Controller CC/CC PWM multifase
- Amplificatori di classe D
Applicazione tipica
Scheda di valutazione
Renesas Electronics Scheda di valutazione HIP2210EVAL1Z
Progettato per fornire un metodo rapido e completo per valutare l'HIP2210.
Pubblicato: 2021-09-01
| Aggiornato: 2022-03-11