Qorvo Scheda di valutazione QPD1006
La scheda di valutazione QPD1006 di Qorvo è progettata per valutare il QPD1006 450W GaN su SiC HEMT che opera da 1,2GHz a 1,4GHz di frequenza. Questo transistor può supportare il funzionamento a impulsi e a onda continua (CW). Il transistor IMFE è ideale per radar militari e civili.
Caratteristiche
- Intervallo di frequenze di funzionamento da 1,2 GHz a 1,4 GHz
- Potenza di uscita 313 W (CW) e 468 W (a impulsi) (P3 dB)
- Guadagno lineare 17,5 dB (CW) e 17,8 dB (a impulsi)
- DEFF3dB tipico 55% (CW) e 62,2% (a impulsi)
- Tensione di funzionamento 45 V (CW) e 50 V (a impulsi)
- Package a bassa resistenza termica
- Capacità di impulsi a 1,3 GHz e +25 °C
Schematico
Transistor associato
Qorvo Transistor IMFET RF GaN QPD1006
Adattamento perfetto a 50Ω con cavità d’aria standard del settore , ideale per radar militari/civili.
Pubblicato: 2020-07-19
| Aggiornato: 2024-08-22