Pulse Electronics Trasformatori SMD PoE/PoE+ 1 Gigabit ad alta densità
I trasformatori SMD PoE/PoE+ 1 Gigabit ad alta densità di Pulse Electronics offrono una densità inferiore a 140 mm2/porta e presentano un dispositivo BGA (Ball Grid Array) affidabile a montaggio superficiale. Questi trasformatori supportano PoE+ (70 W) 4-pair con alimentazione CC e sono progettati per l'installazione dietro i connettori 2xN. I trasformatori SMD PoE/PoE+ 1 Gigabit offrono connettività 10/100/1000base-T e una costruzione modulare che supera i requisiti IEEE802.3u/ab. Questi trasformatori operano in un intervallo di temperature comprese tra -40 °C e 85 °C.
Caratteristiche
- Moduli SMT PoE 1 Gigabit compatti che offrono una densità inferiore a 140 mm2/porta
- Dispositivo BGA (Ball Grid Array) affidabile a montaggio superficiale
- Intervallo di temperature standard e industriali
- La costruzione modulare supera i requisiti IEEE802.3u/ab
- Le opzioni supportano PoE+ (70 W) 4-pair con alimentazione CC
- Progettati per l'installazione dietro i connettori 2xN
- Conformi a RoHS-6 con temperatura nominale di rifusione di picco pari a 245 °C
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| Codice prodotto | Scheda dati | Range di frequenza | Induttanza | Tensione di isolamento | Numero di canali | Corrente nominale | Resistenza CC massima | Temperatura di lavoro minima | Temperatura di lavoro massima |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H5200NL |  |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 2 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| HX5610NL | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 1 Channel | 8 mA | 650 mOhms | - 40 C | + 85 C |
| HX6400NLT | |
1 MHz to 125 MHz | 150 uH | 1.5 kV | 4 Channel | 10.3 mA | 650 mOhms | - 40 C | + 85 C |
| H5401NL | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 4 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| HX5401NLT | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 4 Channel | 8 mA | 650 mOhms | - 40 C | + 85 C |
| H5400NL | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 4 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| HX5610NLT | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 1 Channel | 8 mA | 650 mOhms | - 40 C | + 85 C |
| H5201NL | |
1 MHz to 125 GHz | 350 uH | 1.5 kV | 2 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| H5200NLT | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 2 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| H5201NLT | |
1 MHz to 125 GHz | 350 uH | 1.5 kV | 2 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
Pubblicato: 2024-04-29
| Aggiornato: 2024-05-09