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onsemi MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono offerti in una vasta gamma di opzioni di package a ingombro ridotto per flessibilità di progettazione.

Caratteristiche

  • Disponibili opzioni con qualifica AEC-Q101 e capacità PPAP
  • Package di piccole dimensioni per design compatti
  • RDS (ON) ultra-bassa per ridurre le perdite di conduzione
  • Carica del gate ottimizzata per ridurre le perdite di commutazione
  • Alta densità di energia
  • Eccellente conduttività termica
  • Efficienza migliorata
  • Senza alogeni, senza piombo e conforme alla normativa RoHS

Applicazioni

  • O-ring
  • Unità di azionamento motore
  • Convertitori CC-CC
  • Interruttori di carico di potenza
  • Gestione batteria
  • Sistemi informatici di fascia alta

Video

Vantaggi della serie

Infografica - onsemi MOSFET MV Trench6 a canale N

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Pubblicato: 2021-05-24 | Aggiornato: 2025-10-01