onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo
I MOSFET di potenza N-Channel singoli di Onsemi sono progettati per progetti compatti ed efficienti con un ingombro ridotto. Questi MOSFET di potenza hanno bassa RDS(ON), bassa QG e capacità elettrica riducendo al minimo le perdite di conduzione e driver. Questi MOSFET sono disponibili con tensioni di drain-source di 40 V, 60 V e 80 V e una tensione di gate-sorgente di ±20 V. I MOSFET di potenza a canale N singolo Onsemi sono privi di piombo e conformi a RoHS.
Caratteristiche
- Bassa RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
- Bassa QG e capacità elettrica ridotta per minimizzare le perdite di driver
- Disponibile in una vasta gamma di tipi di package, tra cui DFN5, DFNW5, LFPK-4, TCPAK57, WDFN8, WDFN9 e WDFNW8
- Ingombro ridotto per progetti compatti
- Senza piombo
- Conforme a RoHS
Specifiche
- Tensione di rottura drain-source 40 V, 60 V o 80 V
- Corrente di drain continua da 14 A a 253 A
- Resistenza in conduzione drain-source da 1,43 mΩ a 67 mΩ
- Tensione di soglia gate-source da 2 V a 4 V
- Dissipazione di potenza da 23 W a 194 W
- Temperatura di funzionamento massima fino a +175 °C
Diagramma a blocchi semplificato
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| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione |
|---|---|---|
| NTMFS4D7N04XMT1G |  |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NTTFSSCH0D7N02X | |
MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN |
| NTTFSSH1D3N04XL | |
MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 |
| NVMFWS1D3N04XMT1G | |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NVMFWS0D63N04XMT1G | |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NTTFS1D4N04XMTAG | |
MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE |
| NTTFS4D9N04XMTAG | |
MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE |
| NVMFWS004N04XMT1G | |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NVMFWS0D6N04XMT1G | |
MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE |
| NVMFWS1D1N04XMT1G | |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
Pubblicato: 2023-12-20
| Aggiornato: 2025-10-30