onsemi Moduli SiC E1B

Onsemi SiC Moduli E1B funzionalità un cascode univoco circuito con un SiC JFET normalmente acceso nello stesso package con un Si MOSFET risultante in un SiC FET normalmente spento. La serie SiC E1B offre un gate drive simile al silicio che supporta gate drive unipolari compatibili con IGBT Si, FET Si, MOSFET SiC e dispositivi Si super junction. Alloggiati nel package del modulo E1B, questi dispositivi onsemi vantano una carica di gate ultra-bassa e eccellenti caratteristiche di commutazione, rendendoli ideali per applicazioni di commutazione hard e soft ZVS. I moduli incorporano una tecnologia avanzata di fissaggio dei die con sinterizzazione Ag per prestazioni termiche e di ciclo di potenza superiori.