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onsemi NZ8P Zener Protection Diodes

I diodi di protezione Zener NZ8P di onsemi sono progettati per salvaguardare i componenti elettronici sensibili da eventi di scarica elettrostatica (ESD) e di tensione transitoria. I diodi NZ8P presentano una bassa tensione di blocco e un tempo di risposta veloce, il che li rende ideali per linee dati ad alta velocità e applicazioni a bassa tensione. Con un intervallo di tensione di rottura da 3,6 V a 48,5 V e una corrente di dispersione inversa massima di 1 μA (tipica), la serie NZ8P fornisce una protezione da sovratensione affidabile, senza compromettere l'integrità del segnale. Alloggiati in un package a montaggio superficiale X2DFNW2 compatto, i diodi supportano progettazioni con vincoli di spazio e processi di assemblaggio automatizzati. I componenti NZ8P di onsemi sono conformi agli standard IEC 61000-4-2 per la protezione ESD e sono adatti per l'uso in dispositivi portatili, apparecchiature di comunicazione e altri dispositivi elettronici di consumo che richiedono una protezione del circuito robusta ed efficiente.

Caratteristiche

  • Gamma completa delle opzioni di tensione di lavoro
  • Elevati valori ESD
  • Package X2DFNW2 con fianchi bagnabili per un'ispezione ottica automatizzata (AOI) ottimale
  • Prefisso SZ per il settore automobilistico e altre applicazioni che richiedono requisiti unici di sito e di controllo delle modifiche; qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
  • Privi di piombo, alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • ECU nel settore automobilistico
  • Reti di bordo (IVN)
  • Circuiti sensibili alla tensione

Specifiche

  • Intervallo della tensione inversa di picco di lavoro da 3,3 V a 42 V
  • Intervallo della tensione di rottura da 3,6 V a 48,5 V
  • Intervallo della corrente di dispersione inversa massima da 100 nA a 5000 nA
  • Intervallo della corrente a impulsi di picco inversa massima da 3,0 A a 8,0 A
  • Intervallo della tensione di clamping massima da 5,5 V a 60 V
  • Intervallo della capacità di giunzione tipica da 12 pF a 109 pF
  • Protezione ESD massima ±30 kV
  • Intervallo di temperatura di giunzione da -55 °C a +150 °C
  • Temperatura massima di saldatura dei terminali +260 °C
     

Schema

Schema - onsemi NZ8P Zener Protection Diodes
Pubblicato: 2025-11-04 | Aggiornato: 2025-12-10