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onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V

Il modulo MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC da 650 V NXVF6532M3TG01 di onsemi è progettato per applicazioni di conversione di potenza esigenti in ambienti automobilistici e industriali. Realizzato con la tecnologia avanzata al carburo di silicio (SiC), l'onsemi NXVF6532M3TG01 offre efficienza superiore, commutazione rapida e prestazioni termiche robuste. Il modulo integra quattro MOSFET SiC Ω da 32 m in una configurazione H-Bridge, rendendo il dispositivo ideale per l'uso in caricatori di bordo (OBC)  convertitori CC-CC e sistemi di propulsione per veicoli elettrici (EV) . Alloggiato in un package   APM16 compatto con sensore di temperatura integrato, il componente supporta un'elevata densità di potenza e una gestione termica affidabile.  Il NXVF6532M3TG01 ha la certificazione per AEC-Q101/Q200 e AQG324 garantendo affidabilità e prestazioni di livello automobilistico in condizioni operative difficili.

Caratteristiche

  • Modulo MOSFET SiC da 650 V e 32 mΩ con DBC in Al2O3
  • H-Bridge con SIP per il caricatore di bordo (OBC)
  • Dispersione/distanza per IEC60664-1, IEC 60950-1
  • Progettazione compatta per una bassa resistenza totale del modulo
  • Serializzazione del modulo per una tracciabilità completa
  • Modulo di potenza Automotive 16 (APM16) package, 40,10 mm x 21,90 mm x 4,50 mm, 1.90P, Case 829AA
  • Classificati UL 94V-0
  • Privo di piombo e conforme a RoHS
  • Modulo di potenza Automotive con certificazione per AEC-Q101/Q200 e AQG324

Applicazioni

  • Convertitori PFC/CC-CC per caricatori di bordo nei veicoli elettrici (EV)
  • Sistemi di trasmissione della potenza dei veicoli elettrici
  • Azionamenti motori industriali
  • Sistemi di energia rinnovabile

Specifiche

  • Tensione max. drain-to-source di 650 V
  • Intervallo di tensione max. gate-to-source da -8 V a +22 V
  • Valori di funzionamento massimi consigliati della tensione gate-to-source da -3 V a +18 V
  • Corrente di drain continua max. 31 A
  • Dissipazione di potenza max. 65,2 W
  • Corrente di drain pulsata max. 165 A
  • Corrente di sorgente del diodo di corpo max. 14,5 A
  • Energia max. di valanga drain-to-source a singolo impulso di 139 mJ
  • Portata della temperatura di funzionamento di giunzione da -55 °C a +175 °C
  • Resistenza termica
    • Differenza max. di temperatura giunzione-alloggiamento 2,3 °C/W, tipico 1,74 °C/W
    • 2,43 °C/W tipici giunzione-dispersore

Configurazione pin e Schema

Schema - onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V

Dimensioni

Disegno meccanico - onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V
Pubblicato: 2025-07-29 | Aggiornato: 2025-08-08