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onsemi Moduli MOSFET di potenza automotive NXV10Vx 3 fasi

I moduli MOSFET di potenza trifase per autoveicoli onsemi NXV10Vx sono progettati per la gestione dell'alimentazione ad alta efficienza nelle applicazioni automobilistiche. Questi moduli onsemi sono particolarmente adatti a inverter di trazione dei veicoli elettrici (EV), caricatori di bordo e convertitori DC-DC. I dispositivi sono caratterizzati da un basso RDS(on) e da elevate capacità di gestione della corrente, che garantiscono un'efficiente conversione di potenza e una minima perdita di energia. Inoltre, il design compatto e le prestazioni termiche superiori rendono i moduli NXV10Vx ideali per gli ambienti con spazi limitati nei moderni sistemi automobilistici. Questi attributi contribuiscono all'affidabilità e all'efficienza complessive dei sistemi di alimentazione settore automobilistico.

Caratteristiche

  • Moduli MOSFET trifase
  • Substrato DBC isolato elettricamente per bassa resistenza termica
  • Rilevamento della temperatura
  • Design compatto per una bassa resistenza totale del modulo
  • Serializzazione del modulo per una tracciabilità completa
  • Consente la progettazione di sistemi piccoli, efficienti e affidabili per ridurre il consumo di carburante dei veicoli e le emissioni di CO2
  • Montaggio semplificato del veicolo
  • Consente una bassa resistenza termica alla giunzione del dissipatore di calore mediante montaggio diretto tramite materiale di interfaccia termica tra la custodia del modulo e il dissipatore di calore
  • Package APM21-CGA
  • Qualificato AQG324 e compatibile con PPAP
  • Senza piombo, conforme alla direttiva RoHS e conforme alla norma UL 94V-0

Applicazioni

  • Compressore E da 48 V e altri ausiliari da 48 V
  • Inverter di trazione per veicoli elettrici (EV)
  • Caricatori di bordo
  • Convertitori CC-CC

Specifiche

  • Tensione massima dallo scarico alla sorgente di 100 V
  • Tensione massima dal gate alla sorgente di ±20 V
  • Energia massima della valanga a singolo impulso di 587 mJ
  • Dispersione massima di 250 µA
  • Corrente di dispersione massima dallo scarico alla sorgente di 5 µA
  • Corrente di dispersione massima dal gate alla sorgente di ±100 nA
  • Intervallo di tesione di soglia gate-sorgente da 2,0 V a 4,5 V
  • Capacità di ingresso tipico 6.970 pF
  • Capacità di uscita tipica di 3950pF
  • Capacità di uscita tipica di 3950pF
  • Resistenza di gate tipica di 0,4Ω
  • Carica totale del gate 101 nC
  • Carica tipica gate-source di 34nC
  • Carica tipica gate-drain di 19nC
  • Tempo di ritardo di accensione tipico 46 ns
  • Tempo di incremento tipico 26 ns
  • Tempo di ritardo di spegnimento tipico 52 ns
  • Tempo di riduzione 15 ns
  • Temperatura di giunzione max +175 °C

Scheda dati

Diagramma schematico

Schema - onsemi Moduli MOSFET di potenza automotive NXV10Vx 3 fasi
Pubblicato: 2024-03-14 | Aggiornato: 2025-03-25