onsemi Modulo in carburo di silicio (SiC) NXH015F120M3F1PTG

Il modulo Onsemi NXH015F120M3F1PTG in carburo di silicio (SiC) è dotato di topologia full-bridge MOSFET SiC M3S da 15 mΩ/1200 V e di un termistore con Al₂O₃ DBC in un package F1. Questo modulo di potenza presenta una tensione di sorgente del gate di +22 V/-10 V, una corrente di drain continua di 77 A a TC = 80 °C (TJ = 175 °C), una dissipazione di potenza massima di 198 W e una distanza di dispersione di 12,7 mm. MOSFET SiC NXH015F120M3F1PTG è dotato di materiale di interfaccia termica (TIM) pre-applicato e senza TIM pre-applicato. Il modulo SiC è senza piombo, privo di alogenuri e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono inverter solari, gruppi di continuità, stazioni di ricarica per veicoli elettrici e alimentazione industriale.