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onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM

Il MOSFET NVTFWS1D9N04XM di Onsemi offre un RDS(on) e una capacità elettrica ridotti in un package con certificazione AEC-Q101. Il MOSFET ha una tensione di 40 V drain-to-source, una corrente di drain continua di 141 A e una resistenza drain-to-source di 1,9 mΩ a 10 V. Il MOSFET NVTFWS1D9N04XM di Onsemi è alloggiato in un package di piccolo ingombro µ8FL di 3,3 mm x 3,3 mm ed è ideale per applicazioni di unità di azionamento motore, protezione della batteria e raddrizzamento sincrono.

Caratteristiche

  • Bassa RDS (on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassa capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver
  • Piccolo ingombro (3,3 mm x 3,3 mm) con progettazione compatta
  • Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
  • Senza piombo, senza alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • Unità di azionamento motore
  • Protezione batteria
  • Raddrizzamento sincrono

Specifiche

  • Tensione drain-to-source di 40 V
  • Resistenza drain-to-source di 1,9 mΩ a 10 V
  • Corrente di drain continua di 141 A

Stile del package

Schema di circuito di applicazione - onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM

Risposta termica transitoria

Grafico delle prestazioni - onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM
Pubblicato: 2025-04-10 | Aggiornato: 2025-04-28