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onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS4C03NWFET1G

Il MOSFET di potenza NVMFS4C03NWFET1G a canale N singolo di Onsemi è un dispositivo ad alta efficienza progettato per applicazioni di gestione dell'energia impegnative. Alloggiato in un compatto package PowerFLAT di 5 mm x 6 mm, il NVMFS4C03NWFET1G offre eccellenti prestazioni termiche e un basso RDS(on), fino a 0,9 mΩ a 10 V, rendendo il MOSFET ideale per ridurre al minimo le perdite di conduzione nei circuiti a corrente elevata. Questo MOSFET onsemi supporti elevate velocità di commutazione ed è ottimizzato per l'uso in convertitori CC-CC, raddrizzamento sincrono commutazione di carico e applicazioni controllo del motore. Grazie al design robusto e all'elevata capacità di resistenza alle valanghe, il modello NVMFS4C03NWFET1G è adatto all'uso in sistemi di alimentazione per telecomunicazioni, server e industriali, dove affidabilità ed efficienza sono fondamentali. Il NVMFS4C03NWFET1G offre un bilanciamento tra prestazioni, dimensioni e robustezza, rendendolo una scelta versatile per l'elettronica di potenza moderna.

Caratteristiche

  • Ingombro ridotto di 5 mm x 6 mm per progetti compatti
  • Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Basso QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
  • Fianchi bagnabili per un'ispezione ottica migliorata
  • Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
  • Senza piombo e senza alogeni/senza BFR
  • Conforme a RoHS

Applicazioni

  • Convertitori CC-CC
  • Raddrizzamento sincrono
  • Commutazione di carico
  • Controllo del motore
  • Sistemi di alimentazione per telecomunicazioni
  • Gestione dell'energia del server e del data center
  • Sistemi di gestione della batteria (BMS)

Specifiche

  • Tensione di drain-to-source massima di 30 V
  • Tensione di gate-to-source massima di ±20 V
  • Portata della corrente di drain continua massima da 34,9 A a 159 A
  • Portata della dissipazione di potenza massima da 3,71 W a 77 W
  • Corrente di drain in impulsi massima di 900 A
  • Corrente massima della sorgente del diodo del corpo 64A
  • Energia massima della valanga drain-to-source a singolo impulso di 549 mJ
  • Package SO-8 FL
  • Massima resistenza di eccitazione tra drain e source
    • 1,7 mΩ a 10 V
    • 2,4 mΩ a 4,5 V
  • Intervallo di temperatura di giunzione di funzionamento da -55 °C a +175 °C
  • +260°C temperatura massima del filo di saldatura
  • Resistenza termica massima
    • 1,95°C/W giunzione-cassa, modalità stazionaria
    • 40°C/W giunzione-ambiente, stato stazionario
Pubblicato: 2025-06-02 | Aggiornato: 2025-06-23