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onsemi MOSFET di potenza a doppio canale N NVMFDx da 100 V

I MOSFET di potenza a doppio canale N NVMFDx da 100 V di onsemi sono soluzioni compatte e ad alta efficienza, progettate per applicazioni di commutazione di potenza impegnative. Questi MOSFET presentano bassi valori RDS(on) e caratteristiche di commutazione rapida, rendendo l'onsemi NVMFDx ideale per l'uso in convertitori CC-CC, azionamenti motore e sistemi di gestione delle batterie. Alloggiati in un package DFN-8 salvaspazio, questi MOSFET supportano la gestione di correnti elevate e prestazioni termiche, caratteristiche essenziali per l'elettronica di consumo, industriale e automobilistica. Ogni variante offre diversi profili di corrente e resistenza per soddisfare esigenze di progettazione specifiche, mantenendo al contempo elevate valutazioni di energia valanga e bassa carica del gate per una maggiore efficienza e affidabilità nei sistemi di alimentazione ad alte prestazioni.

Caratteristiche

  • Ingombro ridotto di 5 mm x 6 mm per design compatti
  • Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassa QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
  • Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
  • Package DFN-8 con fiancate bagnabili
  • Senza piombo, senza alogeni/BFR, senza berillio
  • Conforme a RoHS

Applicazioni

  • Sistemi automotive
    • Servosterzo elettrico
    • Illuminazione a LED
    • Unità di controllo elettronico (ECU)
  • Convertitori CC-CC
    • Convertitori al punto di carico (POL)
    • Architettura di bus intermedi
  • Controllo del motore
    • Robotica
    • Automazione
  • Gestione della batteria
    • Protezione batteria
    • Circuiti di carica
  • Alimentatori

Specifiche

  • Tensione di rottura drain-source di 100 V
  • Intervallo di resistenza drain-source da 10,4 mΩ a 39 mΩ
  • Tensione gate-source di 20 V
  • Tensione di soglia gate-source di 3 V
  • corrente di drain continua da 21A a 61A
  • portata di dissipazione di potenza da 36 W a 84 W
  • portata di carica del gate da 4nC a 26nC
  • portata di tempo di ritardo di accensione tipico da 4,6 ns a 11 ns
  • Portata di tempo di incremento da 1,7 ns a 5,2 ns
  • portata di tempo di ritardo di spegnimento tipico da 15 ns a 32 ns
  • Portata di tempo di riduzione da 3 ns a 5,5 ns
  • Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +175 °C
  • Temperatura di saldatura di picco di +260 °C

Scheda dati

Schematico

Schema - onsemi MOSFET di potenza a doppio canale N NVMFDx da 100 V
Pubblicato: 2025-05-29 | Aggiornato: 2025-06-08