onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBLS0D8N08X

I MOSFET di potenza a canale N singolo NVBLS0D8N08X  di onsemi sono racchiusi in un package con conduttori piatti 5 mm x 6 mm e facilitano progetti efficienti. I MOSFET NVBLS0D8N08X  di onsemi presentano flange bagnabili per un’ispezione ottica migliorata, garantendo il controllo della qualità. I MOSFET sono qualificati AEC-Q101 e supportano PPAP per applicazioni per il settore automobilistico.

Caratteristiche

  • Ingombro ridotto (5 mm x 6 mm)
  • Basso RDS (on)
  • QG e capacità elettrica ridotte
  • NVMFWS1D5N08X - Opzione con fianco bagnabile
  • Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
  • Conforme a RoHS

Applicazioni

  • Alimentatori di commutazione
  • Interruttori di alimentazione (driver lato alto, driver lato basso, ponti H, ecc.)
  • Sistemi 48 V

Schema di circuito di applicazione

Schema di circuito di applicazione - onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBLS0D8N08X
Pubblicato: 2024-02-14 | Aggiornato: 2024-02-21