onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1
Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1 di Onsemi fa parte della famiglia di MOSFET M1 planare in SiC da 1.700 V, ottimizzata per applicazioni a commutazione rapida. Questo MOSFET presenta un RDS(ON) massimo di 76 mΩ @ 20 V, una tensione di 1.700 V tra drain e source, una corrente di drain continua di 50 A e una carica di gate estremamente bassa (QG(tot) tipico = 107 nC). MOSFET SiC NVBG050N170M1 funziona con una capacità di uscita effettiva ridotta (Coss tipico = 97 pF) e una tensione gate-to-source di -15 V/+25 V. Questo MOSFET SiC è testato al 100% contro le valanghe ed è disponibile nel package D2PAK-7L. Il NVBG050N170M1 SiC MOSFET è senza piombo 2LI, privo di alogenuri e conforme a RoHS con esenzione 7a. Le applicazioni tipiche includono convertitori flyback, convertitori CC-CC per veicoli elettrici/ibridi e caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli.
Caratteristiche
- RDS(on) tipico = 53 mΩ @ VGS = 20 V
- Carica gate ultra bassa (QG(tot) tipico = 107 nC)
- Capacità di uscita effettiva bassa (Coss tipico = 97 pF)
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Senza alogenuri
- Conforme a RoHS con deroga 7a
- Senza piombo 2LI (sull'interconnessione di secondo livello)
Applicazioni
- Convertitore flyback
- Convertitori CC-CC per automotive per EV/HEV
- Caricatore di scheda per automotive (OBC)
Specifiche
- Tensione VDSS drain-to-source 1.700 V
- Tensione gate-to-source -15 V/+25 V
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a 175 °C
- Corrente di sorgente continua 87A (diodo di corpo)
Panoramica MOSFET
Caratteristiche tipiche
Dimensioni
Pubblicato: 2025-05-14
| Aggiornato: 2025-06-02