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onsemi MOSFET PowerTrench® a gate schermato NTMFS7D5N15MC

Il MOSFET PowerTrench® a gate schermato a canale N NTMFS7D5N15MC di onsemi è prodotto utilizzando un processo PowerTrench avanzato che incorpora la tecnologia a gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in conduzione e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori con un diodo soft-body di qualità eccellente. Il modello NTMFS7D5N15MC di onsemi riduce il rumore di commutazione, le interferenze elettromagnetiche, la capacità (per minimizzare le perdite del driver) e la resistenza R DS (on) (per minimizzare le perdite di conduzione).

Caratteristiche

  • Tecnologia MOSFET a gate schermato
  • Ingombro ridotto (5 mm x 6 mm) per progetti compatti
  • Bassa RDS (on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassa QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
  • Riduce il rumore di commutazione/EMI
  • Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1
  • Testato al 100% UIL
  • Privi di piombo, alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • Raddrizzamento sincrono
  • Alimentatori CA-CC e CC-CC
  • Adattatori CA-CC (USB PD) SR
  • Interruttori di carico

Specifiche

  • Tensione max. drain-to-source di 150 V
  • Tensione max. gate-to-source di ±20 V
  • Corrente max. di drain pulsatadi 478 A
  • Tempo di incremento tipico di 6 ns
  • Tempo di riduzione tipico di 5 ns
  • Tempo di ritardo di accensione tipico di 27 ns
  • Tempo di ritardo di spegnimento di 32 ns
  • Energia di valanga max. di 486 mJ per singolo impulso di scarico da drain a source
  • Portata della temperatura di funzionamento di giunzione da -55 °C a +175 °C
  • Package Power 56 (PQFN8)
Pubblicato: 2024-11-06 | Aggiornato: 2024-11-18