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onsemi MOSFET di potenza a canale P singolo NTMFS005P03P8Z

Il MOSFET di potenza a canale P singolo NTMFS005P03P8Z di onsemi è ideale per interruttori di carico di potenza, gestione della batteria e protezione (corrente inversa, sovratensione e tensione negativa inversa).  Operando all’interno di un intervallo di temperatura di giunzione da -55°C a +150°C, l'NTMFS005P03P8Z fornisce tensione drain-source di -30 V, resistenza in conduzione di 2,7 mΩ a 10 V e corrente drain/standby di 164 A. L'NTMFS005P03P8Z onsemi è disponibile in un package 5 mm x 6 mm SO8-FL che utilizza una tecnologia avanzata per risparmiare spazio, oltre a offrire un’eccellente conduzione termica. 

Caratteristiche

  • RDS (on) ultrabasso per migliorare l’efficienza del sistema
  • Tecnologia avanzata del package per risparmiare spazio ed eccellente conduzione termica
  • Package SO8-FL 5 mm x 6 mm
  • Senza piombo, senza alogeni/senza BFR e conforme a RoHS

Applicazioni

  • Protezioni
    • Corrente inversa
    • Sovratensione
    • Tensione negativa inversa
  • Interruttori di carico di alimentazione
  • Gestione della batteria

Specifiche

  • Tensione drain-source massima -30 V
  • Tensione gate-source massima ±25 V
  • Intervallo di corrente di drain continuo massimo da -11 A a -164 A
  • Intervallo di dissipazione di potenza massima da 0,9 W a 104 W
  • Corrente di drain a impulsi massima -597 A
  • Corrente di drain massima della tensione di gate zero -1,0 µA
  • Corrente di dispersione gate-source massima ±10 µA
  • Energia da valanga massima drain-source per singolo impulso di 165,8 mJ
  • Intervallo di resistenza massima drain-source da 2,7 mΩ a 4,4 mΩ
  • Transconduttanza diretta tipica 87 S
  • Carica del gate totale tipica di 183 nC
  • Tempo di recupero di inversione tipico 57 ns
  • Tempo di carica tipico 34 ns
  • Tempo di scarica tipico 23 ns
  • Carica di recupero inverso tipica 77 nC
  • Capacità tipica
    • Ingresso 7.880 pF
    • Uscita 2.630 pF
    • Trasferimento inverso 2.550 pF
  • Massima resistenza termica a stato costante
    • Da giunzione a involucro 1,2°C/W
    • Intervallo da giunzione ad ambiente da 40°C/W a 137°C/W
  • Intervallo di temperatura di funzionamento della giunzione da -55°C a +150°C
Pubblicato: 2024-02-19 | Aggiornato: 2024-03-05