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onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTBL023N065M3S

I MOSFET in carburo di silicio (SiC) NTBL023N065M3S di onsemi sono progettati per applicazioni di potenza impegnative. I MOSFET NTBL023N065M3S di onsemi presentano una RDS(on) tipica di 23 mΩ a VGS = 18 V, carica del gate ultra-bassa (QG(tot) = 69nC) e commutazione ad alta velocità con bassa capacità elettrica (Coss = 152 pF). Completamente testati per le prestazioni in caso di valanga, i MOSFET sono esenti da alogeni, conformi alla normativa RoHS con Esenzione 7a e senza piombo all'interconnessione di secondo livello. Ideali per applicazioni quali sistemi e infrastrutture come alimentatori a commutazione (SMPS ), inverter solari, gruppi di continuità (UPS), accumulo di energia, questi MOSFET SiC forniscono prestazioni robuste per le moderne esigenze di gestione dell'energia.

Caratteristiche

  • RDS(on) tipica = 23 m a VGS = 18 V
  • Carica del gate estremamente bassa (QG(tot) = 69 nC)
  • Commutazione ad alta velocità con bassa capacità elettrica (Coss = 152 pF)
  • Collaudati al 100% con metodo a valanga
  • Senza alogeni e conforme alla direttiva RoHS con Esenzione 7a, senza piombo 2LI (sull'interconnessione di secondo livello)

Applicazioni

  • SMPS
  • Inverter solari
  • UPS
  • Accumulo di energia
  • Infrastruttura

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Pubblicato: 2025-01-17 | Aggiornato: 2025-02-20