onsemi Transistori PNP per uso generico NST807

I transistor PNP per uso generico NST807 di onsemi sono progettati per applicazioni di commutazione e amplificazione per uso generico. L'onsemi NST807 offre alte prestazioni e affidabilità rendendolo adatto all'uso in circuiti a bassa potenza per l'elaborazione del segnale e applicazioni elettroniche generali. Il transistor presenta un collettore-emettitore tensione (VCE) max. di 40 V e un collettore corrente (IC) max. di 3 A garantendo versatilità per una vasta gamma di progetti. Grazie alla bassa tensione di saturazione e alle elevate velocità di commutazione, l'NST807 viene spesso scelto per circuiti ad alta efficienza. Inoltre, il suo compatto package DFN1010-3 consente di realizzare progetti efficienti in termini di spazio, rendendo l'NST807 un'ottima scelta per applicazioni di elettronica di consumo, settore automobilistico e applicazioni industriali. Il dispositivo è progettato per offrire prestazioni robuste, con una curva caratteristica ben definita che garantisce stabilità e affidabilità in varie condizioni ambientali.

Caratteristiche

  • Package XDFNW3 con fianchi bagnabili per un'ispezione ottica automatizzata (AOI) ottimale.
  • Prefisso NSV per il settore automobilistico e altre applicazioni che richiedono requisiti unici di sito e di modifica del controllo, con certificazione AEC-Q101 e compatibili con PPAP
  • Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1
  • Privi di piombo, alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • Circuiti di commutazione
  • Circuiti di amplificazione
  • Regolazione di tensione lineare
  • Circuiti analogici
  • Circuiti dell'inverter e dell'oscillatore
  • Circuiti push-pull complementari
  • Controllo motore e carico
  • Progettazione dell'alimentazione

Specifiche

  • Tensione massima collettore-emettitore/-base -45VCC
  • Tensione max. emettitore-base -5.0 V CC
  • Dissipazione di potenza totale di 350 mW a TA = +25 °C, depotenziamento di 2,8 mW/ °C oltre i +25 °C
  • Segnale debole
    • Frequenza di transizione tipica 360 MHz
    • Capacità di uscita tipica 6 pF
    • Capacità di ingresso tipica 58 pF
    • Impedenza di ingresso tipica 16k
    • Cifra di rumore tipica 0,79 dB
  • Caratteristiche di commutazione
    • Tempo di ritardo tipico di 10 ns
    • Tempo di incremento tipico di 14 ns
    • Tempo di conservazione tipico di 300 ns
    • Tempo di riduzione tipico di 51 ns
  • 500 mA corrente collettore continua max. 1.0 A picco
  • Resistenza termica giunzione-ambiente di 145 °C/W
  • Intervallo di temperatura di giunzione da -65 °C a +150 °C

Schemi

Schema - onsemi Transistori PNP per uso generico NST807
Pubblicato: 2025-02-26 | Aggiornato: 2025-03-04