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onsemi Gate multifunzione configurabile NL7SZ58

Il gate multifunzione configurabile NL7SZ58  di onsemi è un dispositivo CMOS avanzato ad alta velocità che consente all’utente di scegliere le funzioni logiche AND, OR, NAND, NOR, XOR, INVERT e BUFFER. Il dispositivo presenta ingressi a trigger di Schmitt, migliorando in tal modo l’immunità al rumore. Le strutture di ingresso e uscita dell'NL7SZ58 forniscono protezione quando vengono applicate tensioni fino a 5,5 V, indipendentemente dalla tensione di alimentazione. Le applicazioni includono logica per uso generico per dispositivi palmari, inclusi PDA, fotocamere digitali e GPS.

Caratteristiche

  • Progettato per il funzionamento da 1,65 V a 5,5 V VCC
  • 3,3 ns tPD a VCC = 5 V (tipico)
  • Tolleranza alla sovratensione di ingresso/uscita fino a 5,5 V
  • IOFF supporta la protezione da spegnimento parziale
  • Sink 24 mA a 3,0 V
  • Disponibile nei package SC-88, SC-74 e UDFN6
  • Complessità del chip <100 FET
  • Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1
  • Classe di infiammabilità UL 94 V-0 a 0,125”, indice di ossigeno da 28 a 34
  • Suffisso -Q per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti unici per le modifiche al sito e al controllo; qualificato AEC-Q100 e compatibile con PPAP
  • Senza piombo, senza alogeni/senza BFR e conforme a RoHS

Applicazioni

  • PDA
  • Fotocamere digitali
  • GPS

Specifiche

  • Intervallo di tensione in ingresso/alimentazione CC massimo da -0,5 V a +6,5 V
  • Tensione di alimentazione CC positiva da 1,65 V a 5,5 V
  • Tensione di ingresso da 0 VCC a 5,5 VCC
  • Corrente massima del diodo di ingresso/uscita CC -50 mA
  • Corrente sorgente/sink CC massima ±50 mA
  • Corrente di alimentazione CC massima ±100 mA per pin di alimentazione o pin di terra
  • Resistenza termica massima da 154 °C/W a 377 °C/W (a seconda del tipo di integrato)
  • Dissipazione di potenza massima da 332 mW a 812 mW in aria ferma (a seconda del tipo di package)
  • Tensione di resistenza ESD massima
    • Human Body Model (HBM) da >2.000 V
    • Modello a dispositivo carico (CDM) >200 V
  • Prestazioni massime in termini di protezione da latch-up ±100 mA
  • Capacità di ingresso tipica 2,5 pF
  • Capacità di uscita tipica 4,0 pF
  • Intervallo di capacità di dissipazione di potenza tipico da 16 pF a 19,5 pF
  • Intervallo temperatura di funzionamento da -55°C a +125°C
Pubblicato: 2024-02-16 | Aggiornato: 2024-02-23