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onsemi Modulo di potenza intelligente (IPM) NFAM2512L7B

Il modulo di potenza intelligente (IPM) Onsemi NFAM2512L7B fornisce uno stadio di uscita con inverter ad alte prestazioni completo di tutte le funzionalità per motori a induzione CA, BLDC e PMSM. Questo modulo integra un gate drive ottimizzato (del IGBTintegrato) per ridurre al minimo le EMI e le perdite, fornendo al contempo più funzionalità di protezione sul modulo, tra cui blocchi per sottotensione, arresto per sovracorrente, monitoraggio termico del circuito integrato di azionamento e segnalazione guasto. Un HVIC ad alta velocità integrato richiede una tensione di alimentazione singola e traduce gli ingressi del gate a livello logico in ingresso nei segnali di pilotaggio ad alta tensione e corrente elevata  necessari per pilotare correttamente gli IGBT interni del modulo. Per ogni fase sono disponibili terminali IGBT negativi separati per supportare vari algoritmi di controllo.

Caratteristiche

  • Inverter IGBT FS7 trifase 25 A, 1200 V, compresi CI di controllo per gate drive e protezioni
  • Resistenza termica molto bassa con substrato DBC Al2O3
  • Interfaccia logica attiva
  • Protezione da sottotensione (UVP) integrata
  • Diodi/resistori di bootstrap incorporati
  • Connessioni dell’emettitore IGBT a valle separate per il rilevamento della corrente individuale di ciascuna fase
  • Sensore di temperatura (uscita TSU da LVIC)
  • Package DIP39, 31,0 mm x 54,5 mm
  • Certificazione UL E209204
  • Senza piombo

Applicazioni

  • Azionamenti industriali
  • Pompe industriali
  • Ventole industriali
  • Automazione industriale

Specifiche

  • Tensione di alimentazione tipica 600 V
  • Intervallo di tensione di alimentazione di controllo: da 13,5 V a 16,5 V
  • Intervallo di tensione di polarizzazione lato alto da 13,0 V a 18,5 V
  • Variazione di alimentazione di controllo: ±1 V/µs
  • Intervallo di inattività minimo per prevenire i cortocircuiti arm 1,5 µs
  • Intervallo segnale di ingresso PWM da 1 kHz a 20 kHz
  • Intervallo di corrente consentito da 14,3 ARMS a 24,7 ARMS
  • Larghezza impulso di ingresso minima da 1,0 µs a 2,0 µs
  • Coppia di montaggio package da 0,6 Nm a 0,9 Nm, vite di tipo M3
  • Intervallo di temperature di giunzione operativa da -40°C a +150°C
  • Inverter
    • Corrente di dispersione collettore-emettitore massima da 1 mA a 10 mA
    • Tensione di saturazione collettore-emettitore tipica da 1,50 V a 1,75 V
    • Tensione diretta tipica da 1,65 V a 1,70 V
    • Intervallo di tempo di commutazione lato alto da 0,16 µs a 1,55 µs
    • Intervallo di tempo di commutazione lato basso da 0,21 µs a 1,60 µs
  • Bootstrap
    • Corrente diretta del diodo da 2,1 V a 2,9 V
    • Resistenza di limitazione integrata da 12,5 Ω a 18,5 Ω
  • funzioni di controllo:
    • Corrente di alimentazione VDD massima
      • Quiescente da 0,3 mA a 2,0 mA
      • Funzionamento da 0.4mA a 5.0mA
    • Corrente di alimentazione VBS massima
      • Quiescente 0,3 mA
      • Funzionamento 3,5 mA
    • Tensione di soglia massima 2,6 V
    • Tensione di soglia minima di disattivazione 0,8 V
    • Da 0,46 V a 0,50 V su livello di intervento corrente
    • Protezione da sottotensione del circuito di alimentazione
      • Livello di rilevamento da 10,0 V a 12,5 V
      • Livello di ripristino da 10,5 V a 13,0 V
    • Uscita di tensione da 1,12 mV a 1,38 mV per unità di rilevamento della temperatura LVIC
    • Tensione di uscita guasto da 0,95 V a 4,9 V
    • Larghezza di impulso di guasto tipica 2,4 ms

Diagramma interno a blocchi

Schema a blocchi - onsemi Modulo di potenza intelligente (IPM) NFAM2512L7B

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Pubblicato: 2023-12-18 | Aggiornato: 2025-06-16