onsemi Diodo Schottky al carburo di silicio NDSH30120C-F155
Il diodo Schottky al carburo di silicio (SiC) NDSH30120C-F155 di onsemi offre eccellenti prestazioni di commutazione e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nel diodo NDSH30120C-F155 non vi è una corrente di recupero inversa, presenta caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, frequenza di funzionamento rapida, maggiore densità di potenza, riduzione delle interferenze elettromagnetiche, dimensioni e costi di sistema ridotti. Questo diodo EliteSiC offre un coefficiente di temperatura positivo e facilità di collegamento in parallelo. Le applicazioni includono uso generico, SMPS, inverter solari, UPS e circuiti di commutazione dell'alimentazione.
Caratteristiche
- Temperatura di giunzione max +175 °C
- A impulso singolo, collaudato per l'effetto a valanga 196mJ
- Elevata capacità di corrente di sovraccarico
- Coefficiente di temperatura positivo
- Facilità di collegamento in parallelo
- Nessun recupero diretto/inverso
- Involucro TO-247-2LD
- Privi di piombo, alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS
Applicazioni
- Per uso generico
- Alimentatori a commutazione (SMPS), inverter solari e gruppi statici di continuità (UPS)
- Circuiti di commutazione di potenza
Specifiche
- Tensione inversa ripetitiva di picco massima: 1200 V
- Intervallo di corrente diretta raddrizzata continua massima: da 30 A a 38 A
- Corrente di sovraccarico diretta massima
- Intervallo di picco non ripetitivo: da 994 A a 1078 A
- non ripetitivo 161 A
- ripetitivo 57 A
- Dissipazione di potenza massima
- 333 W a +25 °C
- 56 W a +150 °C
- Intervallo di tensione diretta tipico: da 1,41 V a 1,97 V
- Corrente inversa massima: 200 µA
- Carica capacitiva totale tipica: 132 nC
- Intervallo di capacità totale tipico: da 88 pF (a 800 V) a 1961 pF (a 1 V)
- Resistenza termica massima
- Giunzione-involucro 0,45 °C/W
- Giunzione-ambiente 40 °C/W
- Intervallo della temperatura di funzionamento: da -55 °C a +175 °C
Soluzioni correlate
onsemi EliteSiC
Risponde alle esigenze di applicazioni esigenti come inverter solari e caricabatterie per veicoli elettrici.
Pubblicato: 2024-02-09
| Aggiornato: 2024-06-19