onsemi Diodo Schottky al carburo di silicio NDSH10120C-F155

Il diodo Schottky al carburo di silicio (SiC) NDSH10120C-F155 di onsemi   offre eccellenti prestazioni di commutazione e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nel diodo EliteSic NDSH10120C-F155 EliteSiC non vi è una corrente di recupero inversa, presenta caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, frequenza di funzionamento rapida, maggiore densità di potenza, riduzione delle interferenze elettromagnetiche, dimensioni e costi di sistema ridotti. Le applicazioni includono uso generico, SMPS, inverter solari, UPS e circuiti di commutazione dell'alimentazione.

Caratteristiche

  • Temperatura di giunzione max +175 °C
  • Impulso singolo, collaudato per l'effetto a valanga 49 mJ
  • Elevata capacità di corrente di sovraccarico
  • Coefficiente di temperatura positivo
  • Facilità di collegamento in parallelo
  • Nessun recupero diretto/inverso
  • Involucro TO-247-2LD
  • Privi di piombo, alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • Per uso generico
  • Alimentatori a commutazione (SMPS), inverter solari e gruppi statici di continuità (UPS)
  • Circuiti di commutazione di potenza

Specifiche

  • Tensione inversa ripetitiva di picco massima 1200 V
  • Intervallo di corrente diretta raddrizzata continua massima: da 10 A a 12 A
  • Corrente di sovraccarico diretta massima
    • Intervallo di picco non ripetitivo da 459 A a 546 A
    • non ripetitivo 59 A
    • ripetitivo 31 A
  • Dissipazione di potenza massima:
    • 94 W a +25 °C
    • 16 W a +150 °C
  • Intervallo di tensione diretta tipico: da 1,39 V a 1,94 V
  • Corrente inversa massima: 200 µA
  • Carica capacitiva totale tipica: 46 nC
  • Intervallo di capacità totale tipico: da 32 pF (a 800 V) a 680 pF (a 1 V)
  • Resistenza termica massima
    • Giunzione-involucro 1,6 °C/W
    • Giunzione-ambiente 40 °C/W
  • Intervallo della temperatura di funzionamento: da -55 °C a +175 °C
Pubblicato: 2024-02-08 | Aggiornato: 2024-06-19