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onsemi Driver per lato basso autoprotetti NCV8405A/B

I driver autoprotetti NCV8405A e NCV8405B per lato basso sono completamente autoprotetti, sono driver lato basso intelligenti per MOSFET progettati per fornire prestazioni di commutazione affidabili in ambienti industriali e del settore automobilistico complessi. Questi dispositivi a tre terminali integrano ampie funzionalità di protezione, tra cui protezione del circuito, spegnimento termico con riavvio automatico, protezione da sovratensione tramite bloccaggio interno drain-to-gate, protezione ESD e forte robustezza dV/dt, rendendo i driver onsemi NCV8405A e NCV8405B altamente resilienti in condizioni elettricamente impegnative.

Questi driver supportano la capacità per unità logica di livello (analogico), consentendo una facile comunicazione coi microcontrollori e altri circuiti di controllo della tensione di basso livello. In quanto dispositivi qualificati AAEC‑Q101, NCV8405A e NCV8405B soddisfano i rigorosi standard di affidabilità del settore automobilistico e sono offerti in confezioni senza piombo, senza alogeni e conformi alla direttiva RoHS.

Elettricamente, entrambe le versioni presentano una tensione di rottura drain-to-source di 42 V, un valore tipico di RDS(ON) di 90 mΩ a VGS= 10 V e una capacità di corrente fino a 6 A in condizioni di input limitato internamente. La robustezza è ulteriormente potenziata da un impulso singolo a valanga di 275 mJ, adatto per commutazione di carichi induttivi o capacitivi. Disponibili nei pacchetti SOT-223 e DPAK, i dispositivi NCV8405A e NCV8405AB forniscono opzioni compatte e termicamente efficienti per sostituire relè elettromeccanici o circuiti di commutazione discreti in una vasta gamma di applicazioni industriali e del settore automobilistico.

Caratteristiche

  • Protezione da cortocircuito
  • Arresto termico con riavvio automatico
  • Protezione da sovratensione
  • Morsetto integrato per commutazione induttiva
  • Protezione ESD
  • Robustezza dV/dt
  • Corrente di drain continua limitata internamente
  • Capacità di azionamento analogico (ingresso a livello logico)
  • Opzioni di package DPAK e SOT-223
  • Prefisso NCV per il settore automobilistico e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito univoci e controllo AEC−Q101 qualificato, e compatibili con PPAP
  • Senza piombo, senza alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • Tollerante a vari carichi resistivi, induttivi e capacitivi
  • Può sostituire relè elettromeccanici e circuiti discreti
  • Settore automobilistico e industriale

Specifiche

  • Tensione di clamp interna drain-to-source massima di 42 V
  • Tensione di clamp interna drain-to-source massima di 42 V
  • Tensione drain-to-source massima di ±14 V
  • Intervallo di dissipazione di potenza
    • da 2,0 W a 40 W per il DPAK
    • Da 1.0 W a 11,4 W per SOT-223.
  • Energia dell'impulso singolo drain-to-source a valanga massima: 275 mJ
  • Tensione di sovrapressione massima di 53 V
  • Caratteristiche Off
    • Range della tensione di rottura drain-to-source: da 42 V a 51 V
    • Range di corrente di drain della tensione di gate zero: da 2.0 µA a 10 µA
    • Corrente di ingresso massima del gate di 100 µA
  • Caratteristiche On
    • Intervallo di tesione di soglia del gate: da 1,0 V a 2,0 V
    • Coefficiente di temperatura tipico della tensione di soglia del gate di 4,0 mV/°C
    • Range massimo della resistenza statica drain-to-source attiva: da 100 mΩ a 210 mΩ
    • Tensione diretta source-drain tipica: 1,05 V
  • A commutazione
    • Tempo di accensione tipico di 20 µs
    • Tempo di spegnimento tipico di 110 µs
    • Velocità di variazione tipica attivata di 1 V/µs
    • Velocità di variazione tipica disattivata di 0,4 V/µs
  • Caratteristiche di autoprotezione
    • Range del limite di corrente: da 3,0 A a 13 A
    • Range del limite di temperatura (spegnimento): da +150 °C a +200 °C con isteresi di 15 °C a 5 V
    • Range del limite di temperatura: da +150 °C a +185 °C (spegnimento) con isteresi di 15 °C a 10 V
  • Caratteristiche di ingresso del gate
    • Range tipico di corrente di ingresso del dispositivo sul gate: da 50 µA (5 V) a 400 µA (10 V)
    • Range di corrente di ingresso limite del gate tipico: da 0,05 mA (5 V) a 0,4 mA (10 V)
    • Range di corrente tipico dell'ingresso al gate di guasto termico: da 0,22 mA (5 V) a 1,0 mA (10 V)
  • Range di temperatura di funzionamento della giunzione: da -40 °C a +150 °C
  • Protezione ESD minima
    • Human Body Model (HBM) da 4.000 V
    • Modello macchina (MM) da 400 V

Schematico

Schema - onsemi Driver per lato basso autoprotetti NCV8405A/B
Pubblicato: 2026-02-27 | Aggiornato: 2026-03-03