onsemi Gate driver IGBT/MOSFET NCD57090 e NCV57090

I driver per gate IGBT/MOSFET onsemi NCD57090 e NCV57090 sono driver per gate a canale singolo ad alta corrente per IGBT e MOSFET, con isolamento galvanico interno di 5kVrms. I modelli NCD57090 e NCV57090 garantiscono un'elevata efficienza e affidabilità del sistema nelle applicazioni ad alta potenza. Questi dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come il Clamp Miller attivo, l'alimentazione negativa e uscite driver alte e basse (OUTH e OUTL) separate per agevolare la progettazione del sistema. I modelli NCD57090 e NCV57090 sono in grado di gestire un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione di ingresso e livelli di segnale da 3,3V a 20,0V.

I gate driver IGBT/MOSFET NCD57090 e NCV57090 onsemi sono offerti in un package compatto SOIC-8. Il NCV57090 è qualificato AEC-Q100 ed è in grado di eseguire PPAP per le applicazioni automobilistiche.

Caratteristiche

Certificato AEC-Q100 e con capacità PPAP (solo NCV57090)
Elevata corrente di uscita di picco +6,5A/-6,5A
La bassa caduta di tensione del clamp elimina la necessità di un'alimentazione negativa per evitare l'accensione spuria del gate (versioni A, D, F)
Ritardi di propagazione ridotti con corrispondenza accurata
Blocco del gate IGBT/MOSFET durante il corto circuito
Pull-down attivo del gate IGBT/MOSFET
Soglie UVLO ridotte per una maggiore flessibilità di polarizzazione
Ampio intervallo di tensioni di polarizzazione, compresa la VEE2 negativa (versione B)