onsemi MJD31C transistori bipolari

I transistori bipolari MJD31C di Onsemi sono dispositivi NPN progettati per amplificatori per uso generale e applicazioni di commutazione a bassa velocità. Questi transistori di potenza complementari realizzati funzionalità resina epossidica soddisfano i requisiti UL 94 V-0 @ 0,125" e sono realizzati in piombo per applicazioni di montaggio superficiale in manicotti di plastica. I transistori MJD31C operano nell'intervallo di temperatura da -65 °C a 150 °C, con tensione tra l'emettitore e la base di 5VEB e corrente continua di 3ADC. Questi transistori bipolari sono in genere alloggiati in un package DPAK (TO-252) e sono dispositivi senza piombo e Conforme alla direttiva RoHS. I transistori MJD31C NPN sono ideali per la gestione dell'energia, interruttori di carico, regolatori di tensione lineari, retroilluminazione con corrente costante e circuiti di unità di azionamento motore.