onsemi Transistor digitali bipolari NPN doppi

I transistor digitali bipolari NPN doppi Onsemi sono progettati per sostituire un singolo dispositivo e l’ulteriore rete di polarizzazione del resistore esterno. Il transistor di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistori (un resistore di base della serie A e un resistore di base-emettitore). Integrando questi singoli componenti in un unico dispositivo, il BRT su questi transistor digitali bipolari NPN Onsemi semplifica la progettazione del circuito eliminandoli. Un BRT riduce inoltre il costo del sistema e lo spazio sulla scheda.

Caratteristiche

  • Semplificano la progettazione dei circuiti
  • Riduce lo spazio sulla scheda
  • Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni/BFR e conformi alla direttiva RoHS
  • Riducono il numero di componenti
  • Prefisso S e NSV per applicazioni automobilistiche e altre che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo specifici; qualificati AEC-Q101 e compatibile con PPAP

Applicazioni

  • controllo segnale I/O
  • commutazione logica

Connessioni dei pin

Schema - onsemi Transistor digitali bipolari NPN doppi
View Results ( 7 ) Page
Codice prodotto Scheda dati Package/involucro Descrizione
NSVBC144EDXV6T1G NSVBC144EDXV6T1G Scheda dati SOT-563 Transistor digitali SS SOT563 RSTR XSTR TR
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Scheda dati SOT-363(PB-Free)-6 Transistor digitali SS BR XSTR NPN 50V
MUN5213DW1T3G MUN5213DW1T3G Scheda dati SOT-363-6 Transistor digitali SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
NSBC144EDP6T5G NSBC144EDP6T5G Scheda dati SOT-963-6 Transistor digitali SOT-963 DUAL NBRT
NSBC144EDXV6T1G NSBC144EDXV6T1G Scheda dati SOT-563-6 Transistor digitali 100mA 50V Dual NPN
NSVMUN5213DW1T3G NSVMUN5213DW1T3G Scheda dati SOT-363-6 Transistor digitali SS SC88 BR XSTR NPN 50V
SMUN5213DW1T1G SMUN5213DW1T1G Scheda dati SOT-363-6 Transistor digitali SS BR XSTR NPN 50V
Pubblicato: 2024-05-15 | Aggiornato: 2025-05-22