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onsemi Transistor bipolari BC846BPDW1

I transistor bipolari BC846BPDW1 Onsemi sono doppi transistor per uso generico progettati per applicazioni a montaggio superficiale a bassa potenza. Questi transistor NPN/PNP sono alloggiati nel package SOT-363/SC-88. I transistor bipolari BC846BPDW1 sono qualificati AEC-Q101, abilitati PPAP e disponibili in un package senza piombo. Questi transistor NPN/PNP sono privi di alogeni/BFR e sono conformi a RoHS. I transistor bipolari sono ideali per applicazioni a montaggio superficiale a bassa potenza.

Caratteristiche

  • Transistor NPN/PNP doppi per uso generico
  • Alloggiati nel package SOT-363/SC-88
  • Progettati per applicazioni a montaggio superficiale a bassa potenza
  • Prefisso “S” per il settore automobilistico e per altre applicazioni che richiedono requisiti unici di modifica del sito e del controllo
  • Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
  • Senza piombo, senza alogeni/senza BFR e conforme alla normativa RoHS

Applicazioni

  • Applicazioni a montaggio superficiale a bassa potenza

Dimensioni package

Disegno meccanico - onsemi Transistor bipolari BC846BPDW1
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Codice prodotto Scheda dati Tensione di saturazione collettore-emettitore Guadagno in corrente CC hFE max Collettore DC/Guadagno base hfe Min
SBC846BPDW1T3G SBC846BPDW1T3G Scheda dati 800 200
BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Scheda dati 600 mV, 650 mV 150
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G Scheda dati 600 mV, 650 mV 475 at 2 mA, 5 V 200 at 2 mA, 5 V
SSVBC846BPDW1T1G SSVBC846BPDW1T1G Scheda dati 250 mV, 300 mV 475 200
SBC846BPDW1T2G SBC846BPDW1T2G Scheda dati 600 mV, 650 mV 475 200
Pubblicato: 2024-10-07 | Aggiornato: 2024-10-28