onsemi MOSFET UniFET II FDT4N50NZU
Il MOSFET UniFET II FDT4N50NZU di onsemi è un MOSFET ad alta tensione basato sull'avanzata tecnologia DMOS e planar stripe. Il MOSFET ha una piccola resistenza di ON tra i MOSFET planari. Fornisce prestazioni di commutazione superiori e un maggiore energia da valanga. Un diodo ESD a gate-source interno consente al MOSFET UniFET II di resistere a sollecitazioni di sovratensione HBM superiori a 2kV.
Caratteristiche
- Tip. RDS(on)= 2,42
- Carica del Gate ultrabassa (tip. QG= 9,1 nC)
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni/BFR e sono conformi alla normativa RoHS
Applicazioni
- Alimentatori per computer/display
- Sistemi di alimentazione industriale
- Alimentatori
Pubblicato: 2021-05-27
| Aggiornato: 2022-03-11