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onsemi MOSFET di potenza a doppio canale N NVMFD6H846NL

Il MOSFET di potenza a doppio canale NNVMFD6H846NL di Onsemi è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Questo MOSFET onsemi presenta bassa RDS(on) per minimizzare le perdite di conduzione e basse QG/capacità elettrica per minimizzare le perdite driver. Il MOSFET NVMFD6H846NL offre un ingombro ridotto con dimensioni di 5 mm x 6 mm. Questo MOSFET è qualificato AEC-Q101 ed è di grado PPAP. Le applicazioni tipiche includono protezione contro l'inversione della batteria, interruttori di alimentazione (driver high-side, driver low-side e ponti H) e alimentatori di commutazione.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza drain-to-source (RDS(on)) per minimizzare le perdite di conduzione.
    • 15 mΩ a 10 V
    • 19 mΩ a 4,5 V
  • Corrente di drain continua massima di 31 A (ID)
  • Tensione drain-to-source di 80 V (V(BR)DSS)
  • Bassa QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver
  • Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
  • Ingombro ridotto con dimensioni di 5 mm x 6 mm per una progettazione compatta.

Risorse aggiuntive

Pubblicato: 2020-09-18 | Aggiornato: 2024-06-04