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onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NTMFS3D6N10MCL

Il MOSFET di potenza Onsemi NTMFS3D6N10MCL a canale N singolo è studiato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Questo MOSFET vanta una bassa resistenza drain-to-source (RDS(on)) per minimizzare le perdite di conduzione e una bassa capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver. Il MOSFET NTMFS3D6N10MCL Onsemi è disponibile in un package in piombo piatto con ingombro ridotto e dimensioni di 5 mm x 6 mm. Le applicazioni tipiche includono MOSFET primari in CC-CC e CA-CC, raddrizzatori sincroni in CC-CC e CA-CC, azionamenti motori e alimentatori di commutazione

Caratteristiche

  • ingombro di 5 mm x 6 mm per progetti compatti
  • Bassa RDS (on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassa QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver
  • Tensione drain-to-source di 100 V (VDSS)
  • RDS(ON) (massimo)
    • 3,6 mΩ a 10 V
    • 5,8 mΩ a 4,5 V
  • Corrente di drain continua 131 A ID (massimo)

Applicazioni

  • MOSFET primari CC-CC
  • Raddrizzatori sincroni in CC-CC e CA-CC
  • Azionamenti di motori
  • Alimentatori di commutazione
  • MOSFET di raddrizzamento sincrono (SR) in progetti USB Type-C™

Risorse aggiuntive

Pubblicato: 2020-09-18 | Aggiornato: 2024-06-04