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onsemi MOSFET a canale N singolo NTBS9D0N10MC

Il MOSFET a canale N singolo NTBS9D0N10MC di Onsemi offre una bassa resistenza di drain-to-source RDS(ON) che riduce al minimo le perdite di conduzione. Questo MOSFET fornisce una bassa carica totale del gate (QG) e capacità elettrica che minimizza le perdite del driver. Il MOSFET NTBS9D0N10MC di Onsemi riduce commutazione rumore/interferenza elettromagnetica (EMI). Questo MOSFET presenta tensione drain-to-source di 100 V (VDSS) e 60 A di corrente di drain continua massima (ID). Le applicazioni tipiche includono utensili elettrici, aspirapolvere a batteria, veicoli aerei senza pilota (APR)/droni, movimentazione di materiali, sistemi digestione della batteria (BMS)/accumulo e domotica.

Caratteristiche

  • 9 mΩ (max) RDS(on) a 10 V riduce al minimo le perdite di conduzione.
  • Prestazioni di commutazione ottimizzate
  • Bassi QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver
  • Riduce il rumore di commutazione/EMI
  • 60 A ID (max)
  • 100 V VDSS

Applicazioni

  • Utensili elettrici
  • Aspirapolvere alimentati a batteria
  • Veicoli aerei senza equipaggio (UAV)/droni
  • Movimentazione dei materiali
  • Sistema di gestione della batteria (BMS)/stoccaggio
  • Domotica

Grafici prestazionali

Grafico delle prestazioni - onsemi MOSFET a canale N singolo NTBS9D0N10MC

Risorse aggiuntive

Pubblicato: 2020-09-10 | Aggiornato: 2024-06-11