onsemi MOSFET SuperFET® II Power

I MOSFET di potenza SuperFET® II di Fairchild sono una nuova generazione proprietaria di MOSFET ad alta tensione che utilizzano un meccanismo di carica avanzato che offre una resistenza in conduzione eccezionalmente bassa e minori prestazioni di carico del gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre al minimo le perdite in conduzione, migliorare le prestazioni di commutazione e resistere a valori dv/dt estremi e a una maggiore energia nominale. Questi MOSFET SuperFET® II sono adatti per varie conversioni di potenza CA/CC in modalità di commutazione per la miniaturizzazione di sistemi e l'aumento dell'efficienza.