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onsemi MOSFET a canale P a media tensione Fairchild

I MOSFET a canale P a media tensione di Fairchild sono MOSFET da 100 V e 150 V che offrono le migliori prestazioni RDS-ON e Qg del settore. Ognuno di questi dispositivi è prodotto utilizzando l'innovativa tecnologia PowerTrench® di Fairchild. Questo processo ad altissima densità è appositamente studiato per minimizzare la resistenza in conduzione e per garantire prestazioni di commutazione ottimali. Le applicazioni tipiche includono commutazione a monte su unità di azionamento motori e sistemi di illuminazione, morsettiere attive CC-CC e commutazione di carico.

Caratteristiche

  • Low profile - 0.8mm maximum in the new MicroFET 2mm x 2mm
  • Low RDS-ON mid voltage P-Channel silicon technology optimized for low Qg
  • This product is optimised for fast switching applications as well as load switch applications
  • 100% UIL tested
  • RoHS compliant

Applicazioni

  • Active clamp switch
  • Load switch

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Codice prodotto Scheda dati Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Tempo di caduta
FDMC86139P FDMC86139P Scheda dati 100 V 4.4 A 67 mOhms 4 ns
FDMA86265P FDMA86265P Scheda dati 150 V 1 A 860 mOhms 6.4 ns
FDMC2523P FDMC2523P Scheda dati 150 V 3 A 1.5 Ohms 13 ns
FDMC86261P FDMC86261P Scheda dati 150 V 2.7 A 269 mOhms 20 ns
FDMS86263P FDMS86263P Scheda dati 150 V 22 A 42 mOhms 14 ns
FDMS86163P FDMS86163P Scheda dati 100 V 50 A 22 mOhms 6.9 ns
Pubblicato: 2014-11-18 | Aggiornato: 2024-02-01