NXP Semiconductors Controller del raddrizzatore a ponte attivo TEA2209T

Il controllore raddrizzatore a ponte attivo TEA2209T di NXP Semiconductors è progettato per sostituire il tradizionale ponte di diodi. L’uso del TEA2209T con MOSFET esterni a bassa ohmicità e alta tensione migliora significativamente l'efficienza del convertitore di potenza, in quanto vengono eliminate le perdite di conduzione tipiche dei diodi raddrizzatori. Inoltre, il TEA2209T include una funzione di scarica del condensatore X. Per ridurre il consumo di energia in condizioni di standby, un segnale esterno tramite il pin COMP può disattivare il TEA2209T. Il controllore è destinato agli alimentatori con un controllore del fattore di potenza di tipo boost come primo stadio. Il secondo stadio può essere un controllore risonante, un controllore flyback o qualsiasi altra topologia di controllore. Può essere utilizzato in qualsiasi alimentatore che richieda un’elevata efficienza. Il controller raddrizzatore a ponte attivo TEA2209T di NXP Semiconductors è offerto in un package SO16 e realizzato in un processo al silicio-on-isolatore (SOI).

Caratteristiche

caratteristiche di efficienza:
- Le perdite di conduzione diretta del ponte del raddrizzatore del diodo sono eliminate
- Consumo energetico CI molto basso di 2 mW
caratteristiche dell'applicazione:
- Traslatori di livello ad alta tensione integrati
- Pilota direttamente i quattro i MOSFET raddrizzatori
- numero di componenti esterni molto basso;
- Scarica del condensatore X da 2 mA integrata
- autoalimentazione;
- Unità a onda completa che migliora la distorsione armonica totale (THD)

funzioni di controllo:
- Funzione di disattivazione per tutti i MOSFET di potenza esterni
- blocco sottotensione (UVLO) per driver a monte e a valle;
- Protezione da sovratensione drain-source per tutti i MOSFET di potenza esterni
- Correnti di eccitazione della gate all'avvio per tutti i MOSFET di potenza esterni
caratteristiche fisiche:
- Intervallo delle temperatura di giunzione da –40 °C a 125 °C
- package SO16 a profilo ridotto; 16 conduttori; larghezza del corpo 3,9 mm.