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Nexperia MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx

I MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx sono progettati per la gestione dell'energia ad alta efficienza in varie applicazioni. Questi MOSFET Nexperia presentano una bassa resistenza in stato attivo [RDS(on)], che va da 2,8 mΩ a 14 mΩ e supportano tensioni drain-source (VDS) 60 V e 100 V. Questi MOSFET sono ottimizzati per la compatibilità a livello logico e sono adatti per il raddrizzamento sincrono secondario, i convertitori DC-DC, gli azionamenti motori, la commutazione di carico e l'illuminazione a LED. Questi MOSFET sono alloggiati in contenitori termicamente efficienti MLPAK33 e MLPAK56 che offrono un ingombro compatto e prestazioni termiche potenziate. Con caratteristiche come la bassa carica del gate (Qg) e l'elevata robustezza di valanghe, la serie PXNx garantisce un funzionamento affidabile in ambienti impegnativi.

Caratteristiche

  • Opzioni 60 V e 100 V
  • Resistenza in stato attivo drain-source
    • Portata da 5,7 mΩ a 14 mΩ per 60 V
    • Portata da 2,8 mΩ a 2,9 mΩ per 100 V
  • Compatibilità a livello logico
  • Tecnologia MOSFET trench
  • Pacchetti termicamente efficienti in un fattore di forma piccolo
    • Ingombro di 3,3 mm x 3,3 mm, MLPAK33 (SOT8002-1) per 60 V
    • Ingombro di 5,15 mm x 6,15 mm, MLPAK56 (SOT8038-1) per 100 V

Applicazioni

  • Raddrizzamento sincrono laterale secondario
  • Convertitori CC-CC
  • Elettrodomestici
  • Comandi di motori
  • Commutazione di carico
  • Illuminazione a LED
  • E-bike (solo 100 V)

Specifiche

  • Intervallo di corrente di drain massima
    • Da 39 A a 83 A per 60 V
    • Da 180 A a 184 A per 100 V
  • Intervallo di dissipazione di potenza totale massima
    • Da 43 W a 79 W per 60 V
    • 181 W per 100 V
  • Tipico intervallo di carica del gate e del drain
    • Da 2,1 nC a 5,7 nC per 60 V
    • Da 19 nC a 20 nC per 100 V
  • Tipico intervallo di carica totale del gate
    • 5,9nC a 16.5nC per 60 V
    • 51 nC a 74 nC per 100 V
  • Intervalli massimi di energia delle valanghe della sorgente di drenaggio non ripetitiva
    • 22.5mJ a 90mJ per 60 V
    • 275.6mJ a 714 mJ per 100 V
  • Tipico intervallo di carica recuperata del diodo sorgente-drenaggio
    • Da 4,9 nC a 11 nC per 60 V
    • Da 31 nC a 48 nC per 100 V
  • Intervallo di temperatura di giunzione da -55 °C a +150 °C
Pubblicato: 2025-04-08 | Aggiornato: 2025-04-13