Torna a Nexperia

Nexperia Diodi SCHOTTKY in carburo di silicio (SiC) PSC1665x

Nexperia PSC1665x Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes offer high performance, low loss, and high efficiency. These diodes feature temperature-independent capacitive turn-off and zero recovery switching behavior combined with an excellent figure-of-merit (Qc x VF). The PSC1665LQ diodes are encapsulated in a Real-2-Pin TO247 R2P (TO-247-2) through-hole power plastic package. The PSC1665JJ diodes are encapsulated in a Real-2-Pin D2PAK R2P (TO-263-2) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. These Schottky diodes are used in photovoltaic inverters, telecom power supplies, battery charging infrastructure, AC-DC converters, and DC-DC converters.

Caratteristiche

  • Corrente diretta nulla e recupero inverso
  • Prestazioni di commutazione rapide e uniformi indipendenti dalla temperatura
  • Eccellente cifra di merito (Qc xVF)
  • Corrente diretta 16 A
  • Tensione di blocco 650 VCC
  • Elevata capacità IFSM
  • Alta densità di potenza
  • Miniaturizzazione del sistema
  • EMI ridotto

Applicazioni

  • Alimentatori a commutazione (SMPS)
  • Inverter fotovoltaici
  • Infrastrutture di caricamento Batteria
  • Convertitori CC-CC e CA-CC
  • Alimentatori elettrici per le telecomunicazioni
  • Gruppi statici di continuità (UPS)

Schede tecniche

Struttura del package – D2PAK R2P (SOT8018)

Disegno meccanico - Nexperia Diodi SCHOTTKY in carburo di silicio (SiC) PSC1665x

Struttura del package – TO-247-2 (SOT8022)

Disegno meccanico - Nexperia Diodi SCHOTTKY in carburo di silicio (SiC) PSC1665x
Pubblicato: 2024-08-20 | Aggiornato: 2025-06-20