Nexperia Schede NX-xB-GAN
Le schede Nexperia NX-xB-GAN sono progettate per lo studio di base delle caratteristiche di commutazione e dell'efficienza ottenibili con i FET GaN. I circuiti di queste schede possono essere configurati per il raddrizzamento sincrono in modalità buck o boost. Le schede NX-xB-GAN sono disponibili in una configurazione a mezzo ponte e includono circuiti driverdi gate layout PCB ottimizzato e punti di test per una facile misurazione.
Scheda di valutazione NX-DP-GAN039-TSC
La scheda di valutazione NX-DP-GAN039-TSC consente il test a doppio impulso dei FET GaN in un package CCPAK (Cooled Copper-Clip Package) con raffreddamento superiore. Questa scheda è ottimizzata per una bassa induttanza e presenta una capacità di rilevamento della corrente integrata per supportare la valutazione delle prestazioni di commutazione tipico. La scheda di valutazione NX-DP-GAN039-TSC può anche essere configurata per supportare l'analisi della resistenza termica e il funzionamento continuo del convertitore half-bridge in modalità buck o boost. Questa scheda può essere abbinata a un idoneo induttore ad alta potenza per ottenere una potenza di uscita fino a 5 kW a una frequenza di commutazione di 100 kHz.
Scheda di valutazione NX-HB-GAN039-BSCUL
La scheda di valutazione NX-HB-GAN039-BSCUL fornisce gli elementi di un semplice convertitore boost o buck. Ciò consente lo studio di base delle caratteristiche di commutazione e dell'efficienza ottenibili con i FET GaN da 650 V. Questa scheda di valutazione presenta dei ponticelli di selezione che consentono l'uso di un singolo ingresso logico o di ingressi separati ad alto/basso livello. L'ingresso e l'uscita ad alto voltaggio possono funzionare fino a 400 VCC, con una potenza di uscita fino a 3,5 kW.
Scheda di valutazione NX-HB-GAN039-TSCUL
La scheda di valutazione NX-HB-GAN039-TSCUL fornisce gli elementi di un semplice convertitore boost o buck. Ciò consente lo studio di base delle caratteristiche di commutazione e dell'efficienza ottenibili con i FET GaN da 650 V. Questa scheda di valutazione presenta dei ponticelli di selezione che consentono l'uso di un singolo ingresso logico o di ingressi separati ad alto/basso livello. L'ingresso e l'uscita ad alto voltaggio possono funzionare fino a 400 VCC, con una potenza di uscita fino a 3,5 kW.
Scheda di valutazione NX-HB-GAN041UL
La scheda di valutazione NX-HB-GAN041UL fornisce gli elementi di un semplice convertitore boost o buck. Questo consente lo studio di base delle caratteristiche di commutazione e dell'efficienza ottenibili con i FET GaN da 650 V. Questa scheda di valutazione presenta dei ponticelli di selezione che consentono l'uso di un singolo ingresso logico o di ingressi separati ad alto/basso livello. L'ingresso e l'uscita ad alto voltaggio possono funzionare fino a 400 VCC, con una potenza di uscita fino a 3,5 kW.
Scheda di valutazione NX-HB-GAN111UL
La scheda di valutazione NX-HB-GAN111UL fornisce gli elementi di un semplice convertitore buck o boost utilizzando il FET GaN GAN111-650WSB. Questa scheda consente lo studio di base delle caratteristiche di commutazione e dell'efficienza ottenibili con i FET GaN da 650 V. La scheda di valutazione NX-HB-GAN111UL è dotata di ponticelli di selezione che consentono l'uso di un singolo ingresso logico o di ingressi separati ad alto/basso livello. L'ingresso e l'uscita ad alto voltaggio possono funzionare fino a 400 VDC, con una potenza di uscita fino a 2 kW.
Scheda di valutazione NX-HB-GAN3R2-BSC
La scheda di valutazione NX-HB-GAN3R2-BSC fornisce gli elementi di un semplice convertitore boost o buck. Ciò consente lo studio di base delle caratteristiche di commutazione e dell'efficienza ottenibili con i FET GaN E-Mode da 100 V. Questa scheda di valutazione è dotata di ponticelli di selezione che consentono l'uso di un singolo ingresso logico o di ingressi separati ad alto/basso livello. L'ingresso e l'uscita di tensione possono funzionare fino a 60 V CC, con una potenza di uscita >350 W.
Diagrammi di blocco
