Nexperia IGBT trench Field-Stop NGWx
I transistori bipolari Insulated-Gate (IGBTs) Nexperia NGWx trench Field-Stop sono dotati di tecnologia di terza generazione e combinano strutture trench-gate e field-stop (FS) immagazzinate nel vettore. Con una temperatura nominale fino a 175°C, gli IGBTs offrono perdite di spegnimento IGBT ottimizzate con un tempo di resistenza al corto circuito di 5μs. Questi IGBT 600 V e 30 A a commutazione dura sono ottimizzati per invertitori di potenza industriali ad alta tensione e bassa frequenza e applicazioni di azionamento servomotore.
Caratteristiche
- Corrente collettore (IC) nominale fino a 75 A
- Perdite di commutazione e conduzione ridotte
- Parametri stabili e stretti per un agevole funzionamento in parallelo
- Completamente classificato come un diodo a recupero inverso progressivo rapido
- Temperatura di giunzione massima 175 °C
- Conforme a RoHS, placcatura senza piombo
Applicazioni
- Unità di azionamento motori per elettrodomestici industriali e di consumo, in particolare servomotori operanti tra 5 kW e 20 kW (fino a 20 kHz)
- Robotica
- Elevators
- Pinze di lavorazione
- Produzione In linea
- Inverter di potenza
- Invertitori di gruppi di continuità (UPS)
- Stringhe fotovoltaiche (PV)
- Ricarica EV
- Riscaldamento a induzione
- Saldatura
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Pubblicato: 2023-08-01
| Aggiornato: 2025-04-03