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Nexperia Driver di porta NGD4300 4 A per MOSFET duali

I driver di porta NGD4300 4 A per MOSFET duali di Nexperia sono sviluppati per pilotare MOSFET a canale N di tipo high-side e low-side in una configurazione sincrona buck o half-bridge. Il driver di tipo high-side fluttuante utilizza tensioni di rail fino a 120 V e impiega un alimentatore bootstrap con un diodo integrato. I driver di uscita low-side e high-side dispongono di un circuito di blocco per tensione al di sotto della soglia (UVLO) indipendente, che disattiva il driver di uscita quando l'alimentazione del driver è al di sotto del suo livello di soglia.

I driver di porta Nexperia NGD4300 ricevono segnali di controllo di ingresso conformi sia alla segnalazione TTL che CMOS a partire da 2,5 V (±10%). La bassa tensione, fornita da un regolatore di tensione interno, viene utilizzata per alimentare i circuiti nei percorsi di segnale che controllano gli interruttori di potenza lato basso e lato alto. Questa funzionalità consente un funzionamento a bassa potenza e prestazioni del driver meglio controllate indipendentemente dalla tensione di alimentazione del circuito integrato.

NGD4300-Q100 è disponibile nel package HSO8, mentre il NGD4300 è fornito nei package SO8, HWSON8 e HSO8. Tutti i componenti funzionano in un intervallo di temperatura esteso da -40 °C a +125 °C. NGD4300-Q100 ha ottenuto la qualifica secondo lo standard Q100 (Grado 1) del Consiglio per l'elettronica automotive (AEC) ed è adatto per applicazioni per il settore automobilistico.

Caratteristiche

  • Qualifica del prodotto Automotive secondo lo standard AEC-Q100 Grado 1 (NGD4300DD-Q100J)
  • Specificato da -40 °C a +125 °C
  • Segnali di ingresso conformi sia alla segnalazione TTL che CMOS di 2,5 V, 3,3 V e 5 V
  • Segnali di uscita con adattamento del ritardo di propagazione 1 ns (tipico)
  • Tempi di propagazione di 13 ns (tipico)
  • Frequenza di commutazione fino a 1 MHz
  • Capacità di corrente di sorgente di picco di 4 A e di 5 A di sink dell'uscita dello stadio del driver del gate
  • Tensione di alimentazione bootstrap fino a 120 V utilizzando un diodo bootstrap integrato
  • Tempi di salita di 4 ns e di discesa di 3,5 ns con carichi di 1.000 pF
  • Intervallo di funzionamento VDD da 8 V a 17 V
  • Protezione da sottotensione sia per le alimentazioni laterali basse che per quelle laterali alte
  • Basso consumo energetico (IDDO) di 0,6 mA (tipico)
  • Package HSO8 a 8 pin
  • Protezione ESD:
    • HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 classe 2 supera 2000 V
    • CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 classe C3 supera i 1.000 V

Applicazioni

  • Convertitori push-pull alimentati a corrente
  • Convertitori di potenza diretti a due interruttori
  • Amplificatori audio di classe D
  • Azionamenti motori a stato solido

Schede tecniche

Applicazione tipica

Schema di circuito di applicazione - Nexperia Driver di porta NGD4300 4 A per MOSFET duali

Diagramma a blocchi

Schema a blocchi - Nexperia Driver di porta NGD4300 4 A per MOSFET duali
Pubblicato: 2025-03-12 | Aggiornato: 2025-03-17