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Nexperia Transistor PNP BC5xPAS-Q 1 A di media potenza

I transistor PNP di media potenza Nexperia BC5xPAS-Q 1A sono incapsulati in un piccolo package in plastica SMD (Surface-Mounted Device) DFN2020D-3 (SOT1061D) senza piombo e ultrasottile. Questi transistor Nxperia sono progettati per un'elevata capacità di corrente del collettore, con il BC51PAS-Q che offre una tensione collettore-emettitore (VCEO) di -45 V, il BC52PAS-Q di -60 V e il BC53PAST-Q di -80 V. I dispositivi presentano dissipatori di calore esposti per eccellente conducibilità termica ed elettrica, adatti per regolatori di tensione lineari, dispositivi alimentati a batteria, driver MOSFET, interruttori high-side, gestione dell'energia e amplificatori. Inoltre, questi transistor sono qualificati secondo gli standard AEC-Q101, garantendo affidabilità nelle applicazioni per il settore automobilistico. La progettazione compatta riduce i requisiti di area PCB e supporta l'ispezione automatica ottica (AOI) dei giunti disaldatura.

Caratteristiche

  • Elevata capacità di corrente collettore I Ce ICM
  • Requisiti ridotti per l'area della scheda per circuiti stampati (PCB)
  • Selezioni del guadagno di corrente
    • Due per BC51xPAS-Q e BC52xPAS-Q
    • Tre per BC53PAST-Q
  • Dissipatore di calore esposto per eccellente conducibilità termica ed elettrica
  • Piccolo package DFN2020D-3 (SOT1061D) in plastica SMD senza piombo con capacità di potenza media
  • Adatto per l'ispezione ottica automatica (AOI) del giunto di saldatura
  • Qualificato secondo la norma AEC-Q101 e raccomandato per l'uso in applicazioni per il settore automobilistico

Applicazioni

  • Regolatori di tensione lineari
  • Dispositivi alimentati a batteria
  • Driver per MOSFET
  • Interruttori a monte
  • Risparmio energetico
  • Amplificatori

Specifiche

  • Tensione massima collettore-emettitore -45 V, -60 V o -80 V
  • -1 A di corrente collettore massima, -2 A di picco massimo
  • -45 V, -60 V o -100 V di intervallo di tensione massima collettore-base
  • -5 V di tensione massima emettitore-base
  • -0,3 A corrente di base di picco massima
  • Da intervallo massimo della dissipazione di potenza totale da0,42 W a 1,65 W
  • Intervallo di temperatura ambiente da -55 °C a +150 °C
  • Package DFN2020D-3 (SOT1061D), corpo 2 mm x 2 mm x 0,65 mm, passo 1,3 mm

Scheda dati

  • Serie BC51xPAS-Q - transistori PNP di media potenza 45 V, 1 A
  • Serie BC52xPAS-Q - transistori PNP di media potenza 60 V, 1 A
  • Serie BC53PAST-Q - transistori PNP di media potenza da 80 V, 1 A

Informazioni sulla configurazione dei pin

Disegno meccanico - Nexperia Transistor PNP BC5xPAS-Q 1 A di media potenza

Dimensioni

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Pubblicato: 2025-04-04 | Aggiornato: 2025-04-14